[发明专利]沟槽型双层栅MOS及工艺方法在审
| 申请号： | 201410853978.2 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104538451A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 陈晨 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/532;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 双层 mos 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽型双层栅MOS，其栅极沟槽内包含有第一多晶硅及第二多晶硅，形成双层栅，所述第一多晶硅位于沟槽下部，与沟槽之间间隔有介质层，第一多晶硅上方具有热氧化介质层及高密度等离子氧化膜；第二多晶硅位于高密度等离子氧化膜上方的沟槽内，与沟槽之间间隔有栅氧化层；其特征在于：
所述第二多晶硅与栅氧化层之间还间隔有接触孔接膜层。
2.如权利要求1所述的沟槽型双层栅MOS，其特征在于：所述的接触孔接膜层为氧化膜。
3.制备如权利要求1所述的沟槽型双层栅MOS的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：
第一步，在沟槽内形成第二层多晶硅并刻蚀完成之后，形成体区并推进；
第二步，离子注入形成源极；
第三步，进行接触孔第一接膜层淀积；
第四步，进行源极推进；
第五步，进行接触孔第二接膜层淀积；
第六步，形成接触孔、金属层以及钝化层。
4.如权利要求3所述的沟槽型双层栅MOS的工艺方法，其特征在于：所述第二步淀积接触孔第一接膜层的厚度为
5.如权利要求3所述的沟槽型双层栅MOS的工艺方法，其特征在于：所述第五步淀积接触孔第二接膜层之后，接触孔结膜层的总厚度为
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