[发明专利]一种轻掺杂漏极区的制作方法、薄膜晶体管及阵列基板在审
| 申请号： | 201410851974.0 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104538455A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 徐琼 | 申请（专利权）人： | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 刘松 |
| 地址： | 201201 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了轻掺杂漏极区的制作方法、薄膜晶体管及薄膜晶体管阵列基板。本发明实施例通过在基板上依次形成多晶硅层、栅绝缘层、栅金属层；对栅金属层进行图案化，形成栅电极；对栅绝缘层进行刻蚀，形成台阶结构，其中，栅电极的宽度小于台阶结构的宽度，且台阶结构的边缘未被栅电极覆盖；利用栅电极和具有台阶结构的栅绝缘层作为掩膜，采用离子掺杂工艺对多晶硅层进行掺杂，同时形成轻掺杂漏极区和重掺杂漏极区。本发明实施例中由于栅电极的宽度小于台阶结构的宽度，且台阶结构的边缘未被栅电极覆盖，因此只需进行一次离子掺杂工艺，便可形成轻掺杂漏极区，从而有效减小漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 漏极区 制作方法 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
一种轻掺杂漏极区的制作方法，其特征在于，包括：在基板上依次形成多晶硅层、栅绝缘层、栅金属层；对栅金属层进行图案化，形成栅电极；对栅绝缘层进行刻蚀，形成台阶结构，其中，所述栅电极的宽度小于所述台阶结构的宽度，且所述台阶结构的边缘未被所述栅电极覆盖；利用所述栅电极和具有所述台阶结构的所述栅绝缘层作为掩膜，采用掺杂工艺对所述多晶硅层进行掺杂，形成轻掺杂漏极区和重掺杂漏极区。
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