[发明专利]一种轻掺杂漏极区的制作方法、薄膜晶体管及阵列基板

权利要求书

1.一种轻掺杂漏极区的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上依次形成多晶硅层、栅绝缘层、栅金属层；

对栅金属层进行图案化，形成栅电极；

对栅绝缘层进行刻蚀，形成台阶结构，其中，所述栅电极的宽度小于所述台阶结构的宽度，且所述台阶结构的边缘未被所述栅电极覆盖；

利用所述栅电极和具有所述台阶结构的所述栅绝缘层作为掩膜，采用掺杂工艺对所述多晶硅层进行掺杂，形成轻掺杂漏极区和重掺杂漏极区。

2.如权利要求1所述的轻掺杂漏极区的制作方法，其特征在于，所述对栅金属层进行图案化，形成栅电极，包括：

在所述栅金属层上涂覆光刻胶，利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成初步栅电极图形；

利用第一刻蚀工艺对所述栅金属层进行刻蚀，形成初步栅电极；

保留所述初步栅电极表面的光刻胶，利用第二刻蚀工艺对所述初步栅电极进行刻蚀，形成栅电极。

3.如权利要求1所述的轻掺杂漏极区的制作方法，其特征在于，所述对栅金属层进行图案化，形成栅电极，包括：

在所述栅金属层上涂覆光刻胶，利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成初步栅电极图形；

利用第二刻蚀工艺对所述栅金属层进行刻蚀，形成栅电极。

4.如权利要求2所述的轻掺杂漏极区的制作方法，其特征在于，所述对栅绝缘层进行刻蚀，形成台阶结构，其中，所述栅电极的宽度小于所述台阶结构的宽度，且所述台阶结构的边缘未被所述栅电极覆盖，包括：

在所述利用第一刻蚀工艺对所述栅金属层进行刻蚀，形成所述初步栅电极之后，利用所述第一刻蚀工艺对所述栅绝缘层进行第一次刻蚀，形成初步台阶结构。

5.如权利要求4所述的轻掺杂漏极区的制作方法，其特征在于，在所述形成栅电极之后，还包括：

利用所述第一刻蚀工艺对所述栅绝缘层进行第二次刻蚀，形成最终台阶结构。

6.如权利要求5所述的轻掺杂漏极区的制作方法，其特征在于，所述第一次刻蚀的刻蚀速率大于所述第二次刻蚀的刻蚀速率。

7.如权利要求2或3所述的轻掺杂漏极区的制作方法，其特征在于，所述对栅绝缘层进行刻蚀，形成台阶结构，其中，所述栅电极的宽度小于所述台阶结构的宽度，且所述台阶结构的边缘未被所述栅电极覆盖，包括：

在形成栅电极之后，利用所述第一刻蚀工艺对所述栅绝缘层进行刻蚀，形成台阶结构。

8.如权利要求2或3所述的轻掺杂漏极区的制作方法，其特征在于，

所述第一刻蚀工艺为干法刻蚀工艺，所述第二刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺。

9.如权利要求1所述的轻掺杂漏极区的制作方法，其特征在于，所述栅绝缘层采用氮化硅或者氧化硅。

10.如权利要求1所述的轻掺杂漏极区的制作方法，其特征在于，

所述台阶结构未被所述栅电极覆盖区域的宽度与预期得到的轻掺杂漏极区的宽度相等。

11.如权利要求1所述的轻掺杂漏极区的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的台阶结构以外的区域的厚度小于800埃。

12.如权利要求2或3所述的轻掺杂漏极区的制作方法，其特征在于，在所述利用所述栅电极和具有所述台阶结构的所述栅绝缘层作为掩膜，采用掺杂工艺对所述多晶硅层进行掺杂，形成轻掺杂漏极区和重掺杂漏极区之前，还包括：

去除剩余的光刻胶。

13.如权利要求1所述的轻掺杂漏极区的制作方法，其特征在于，在所述利用所述栅电极和具有所述台阶结构的所述栅绝缘层作为掩膜，采用掺杂工艺对所述多晶硅层进行掺杂，形成轻掺杂漏极区和重掺杂漏极区之前，所述多晶硅层为未进行掺杂的多晶硅层。

14.一种薄膜晶体管，包括采用如权利要求1-13任一项所述的制作方法制得的轻掺杂漏极区，其特征在于，包括：

基板，以及在所述基板上依次形成的多晶硅层、具有台阶结构的栅绝缘层、栅电极；

其中，所述栅电极的宽度小于所述台阶结构的宽度，且所述台阶结构的边缘未被所述栅电极覆盖；

所述轻掺杂漏极区的宽度与所述台阶结构未被所述栅电极覆盖区域的宽度相等。

15.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括如权利要求14所述的薄膜晶体管。