[发明专利]形成浅槽功率器件保护环的方法在审
| 申请号： | 201410844111.0 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104465488A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 吴亚贞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的形成浅槽功率器件保护环的方法中，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；分别在所述第一区域和所述第二区域中形成第一浅槽和第二浅槽，所述第二浅槽的宽度大于所述第一浅槽的宽度；沉积多晶硅层，所述多晶硅层填充所述第一浅槽，并覆盖所述半导体衬底以及所述第二浅槽的侧壁以及底部；刻蚀所述多晶硅层，去除所述第二浅槽的底部的所述多晶硅层，并露出所述半导体衬底；以及进行离子注入，在所述半导体衬底表面形成第一掺杂阱区，并在所述第二浅槽底部形成第二掺杂阱区。本发明中，在相同的工艺步骤中同时形成器件区的掺杂区和器件外围的保护环，减少额外的工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 功率 器件 保护环 方法 | ||
【主权项】：
一种形成浅槽功率器件保护环的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；分别在所述第一区域和所述第二区域中形成第一浅槽和第二浅槽，所述第二浅槽的宽度大于所述第一浅槽的宽度；沉积多晶硅层，所述多晶硅层填充所述第一浅槽，并覆盖所述半导体衬底以及所述第二浅槽的侧壁以及底部；刻蚀所述多晶硅层，去除所述第二浅槽的底部的所述多晶硅层，并露出所述半导体衬底；以及进行离子注入，在所述半导体衬底表面形成第一掺杂阱区，并在所述第二浅槽底部形成第二掺杂阱区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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