[发明专利]形成浅槽功率器件保护环的方法在审
| 申请号： | 201410844111.0 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104465488A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 吴亚贞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 功率 器件 保护环 方法 | ||
1.一种形成浅槽功率器件保护环的方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；
分别在所述第一区域和所述第二区域中形成第一浅槽和第二浅槽，所述第二浅槽的宽度大于所述第一浅槽的宽度；
沉积多晶硅层，所述多晶硅层填充所述第一浅槽，并覆盖所述半导体衬底以及所述第二浅槽的侧壁以及底部；
刻蚀所述多晶硅层，去除所述第二浅槽的底部的所述多晶硅层，并露出所述半导体衬底；以及
进行离子注入，在所述半导体衬底表面形成第一掺杂阱区，并在所述第二浅槽底部形成第二掺杂阱区。
2.如权利要求1所述的形成浅槽功率器件保护环的方法，其特征在于，所述第一区域包括至少两个所述第一浅槽。
3.如权利要求2所述的形成浅槽功率器件保护环的方法，其特征在于，所述第一浅槽的个数为三个。
4.如权利要求1所述的形成浅槽功率器件保护环的方法，其特征在于，所述第二区域包括至少两个所述第二浅槽。
5.如权利要求4所述的形成浅槽功率器件保护环的方法，其特征在于，所述第二浅槽的个数为两个。
6.如权利要求1所述的形成浅槽功率器件保护环的方法，其特征在于，对所述半导体衬底进行P型离子注入。
7.如权利要求6所述的形成浅槽功率器件保护环的方法，其特征在于，离子注入之后进行一快速热退火过程。
8.如权利要求1所述的形成浅槽功率器件保护环的方法，其特征在于，进行离子注入之后沉积一介质层，所述介质层填充所述第二浅槽，并覆盖所述半导体衬底。
9.如权利要求8所述的形成浅槽功率器件保护环的方法，其特征在于，对所述介质层进行选择性刻蚀，去除所述第一区域中的所述第一掺杂阱区上的部分所述介质层。
10.如权利要求8所述的形成浅槽功率器件保护环的方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅。
11.如权利要求1-10任意一项所述的形成浅槽功率器件保护环的方法，其特征在于，所述第一区域位于所述半导体衬底的中心区域，所述第二区域位于所述半导体衬底的边缘区域。
12.如权利要求1-10任意一项所述的形成浅槽功率器件保护环的方法，其特征在于，所述第二浅槽为环形，并围绕在所述第一浅槽的周围。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
