[发明专利]包含中压SGT结构的MOSFET及其制作方法

摘要

本发明公开了一种包含中压SGT结构的MOSFET的制作方法，步骤包括：1)第一次沟槽刻蚀，形成第一沟槽；2)生长氧化硅和氮化硅；3)刻蚀掉硅片表面和第一沟槽底部的氮化硅，保留第一沟槽侧壁的氮化硅；4)第二次沟槽刻蚀，形成第二沟槽；5)在第二沟槽侧壁生长屏蔽电极介质层；6)去除第一沟槽侧壁的氮化硅，后续按常规工艺完成器件制作。本发明还公开了用上述方法制作的MOSFET结构，其相邻屏蔽电极间的距离小于相邻栅极间的距离。本发明通过分两步刻蚀屏蔽栅极沟槽，并分别在两步刻蚀形成的沟槽内生长栅氧和屏蔽电极介质层，实现了在相邻栅极间的距离不变的情况下，缩小相邻屏蔽电极间的距离，从而降低了单位面积导通电阻。

主权项

包含中压SGT结构的MOSFET的制作方法，其特征在于，步骤包括：1)在衬底上进行第一次沟槽刻蚀，形成第一沟槽；2)依次生长氧化硅和氮化硅；3)刻蚀掉硅片表面和第一沟槽底部的氮化硅，保留第一沟槽侧壁的氮化硅；4)在第一沟槽基础上进行第二次沟槽刻蚀，在第一沟槽下面形成第二沟槽；5)在第二沟槽侧壁生长屏蔽电极介质层；6)去除第一沟槽侧壁的氮化硅，后续按照常规工艺完成MOSFET的制作。