[发明专利]包含中压SGT结构的MOSFET及其制作方法

权利要求书

1.包含中压SGT结构的MOSFET的制作方法，其特征在于，步骤包括：

1)在衬底上进行第一次沟槽刻蚀，形成第一沟槽；

2)依次生长氧化硅和氮化硅；

3)刻蚀掉硅片表面和第一沟槽底部的氮化硅，保留第一沟槽侧壁的氮化硅；

4)在第一沟槽基础上进行第二次沟槽刻蚀，在第一沟槽下面形成第二沟槽；

5)在第二沟槽侧壁生长屏蔽电极介质层；

6)去除第一沟槽侧壁的氮化硅，后续按照常规工艺完成MOSFET的制作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)，用氧化硅-氮化硅-氧化硅膜作为沟槽刻蚀的硬掩膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)，第一次沟槽刻蚀的深度为1.4μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)，氧化硅的厚度为氮化硅的厚度为

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)，采用干法刻蚀方法。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)，第二次沟槽刻蚀的深度为4.7μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5)，用热氧化方法生长氧化硅作为屏蔽电极介质层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤5)，所述屏蔽电极介质层的厚度为

9.用权利要求1-8任何一项所述方法制作的包含中压SGT结构的MOSFET，其特征在于，相邻屏蔽电极之间的距离小于相邻栅极之间的距离。