[发明专利]薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法在审
| 申请号: | 201410841792.5 | 申请日: | 2014-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN104465405A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
| 发明(设计)人: | 左岳平;李良坚 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法,涉及显示技术领域,能够减少薄膜晶体管的漏电流。该薄膜晶体管的制作方法包括:在衬底基板上形成有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极,层间绝缘层和栅极绝缘层上设置有对应于源极和漏极的过孔;有源层包括与源极连接的源极欧姆接触区、与漏极连接的漏极欧姆接触区、位于栅极下方的用于作为沟道的沟道区以及位于漏极欧姆接触区与沟道区之间的轻掺杂区,或者,有源层包括与源极连接的源极欧姆接触区、与漏极连接的漏极欧姆接触区、位于栅极下方的用于作为沟道的沟道区以及位于漏极欧姆接触区与沟道区之间和源极欧姆接触区与沟道区之间的两个轻掺杂区。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 制作方法 阵列 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板上形成有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极,所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层上设置有对应于所述源极和所述漏极的过孔;所述有源层包括与所述源极连接的源极欧姆接触区、与所述漏极连接的漏极欧姆接触区、位于所述栅极下方的用于作为沟道的沟道区以及位于所述漏极欧姆接触区与所述沟道区之间的轻掺杂区,或者,所述有源层包括与所述源极连接的源极欧姆接触区、与所述漏极连接的漏极欧姆接触区、位于所述栅极下方的用于作为沟道的沟道区以及位于所述漏极欧姆接触区与所述沟道区之间和所述源极欧姆接触区与所述沟道区之间的两个轻掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





