[发明专利]薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极，所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层上设置有对应于所述源极和所述漏极的过孔；

所述有源层包括与所述源极连接的源极欧姆接触区、与所述漏极连接的漏极欧姆接触区、位于所述栅极下方的用于作为沟道的沟道区以及位于所述漏极欧姆接触区与所述沟道区之间的轻掺杂区，或者，

所述有源层包括与所述源极连接的源极欧姆接触区、与所述漏极连接的漏极欧姆接触区、位于所述栅极下方的用于作为沟道的沟道区以及位于所述漏极欧姆接触区与所述沟道区之间和所述源极欧姆接触区与所述沟道区之间的两个轻掺杂区。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极，所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层上设置有对应于所述源极和所述漏极的过孔，所述有源层包括与所述源极连接的源极欧姆接触区、与所述漏极连接的漏极欧姆接触区、位于所述栅极下方的用于作为沟道的沟道区以及位于所述漏极欧姆接触区与所述沟道区之间的轻掺杂区，包括：

在所述衬底基板上形成所述有源层；

形成所述栅极绝缘层；

形成栅极金属层；

形成一层图案化的光刻胶，所述光刻胶完全落在所述有源层所在区域内，所述光刻胶包括完全保留区和位于所述完全保留区两端的部分保留区；

对所述栅极金属层进行过刻蚀，形成栅极预结构，使得位于所述完全保留区一端的所述部分保留区悬空，位于所述完全保留区另一端的所述部分保留区部分悬空；

通过灰化工艺，去除所述光刻胶的所述部分保留区，使得部分悬空的所述部分保留区下方覆盖的所述栅极预结构暴露，并使所述完全保留区减薄；

对所述有源层进行离子注入，所述光刻胶和所述栅极预结构均未遮挡的区域，成为所述源极欧姆接触区和所述漏极欧姆接触区；

刻蚀去除暴露的所述栅极预结构，形成所述栅极，所述栅极上覆盖有所述光刻胶；

对所述有源层进行离子注入，刻蚀所述栅极预结构后暴露的区域成为所述轻掺杂区，所述光刻胶和所述栅极同时遮挡的区域成为所述沟道区；

剥离所述光刻胶；

形成所述层间绝缘层，经过构图工艺，使所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层上形成对应于所述源极和所述漏极的过孔；

形成源漏极金属层，经过构图工艺形成所述源极和所述漏极，所述源极和所述漏极通过所述过孔分别与所述源极欧姆接触区和所述漏极欧姆接触区连接。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极，所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层上设置有对应于所述源极和所述漏极的过孔，所述有源层包括与所述源极连接的源极欧姆接触区、与所述漏极连接的漏极欧姆接触区、位于所述栅极下方的用于作为沟道的沟道区以及位于所述漏极欧姆接触区与所述沟道区之间的轻掺杂区，包括：

在所述衬底基板上形成所述有源层；

形成所述栅极绝缘层；

形成栅极金属层；

形成一层图案化的光刻胶，所述光刻胶完全落在所述有源层所在区域内，所述光刻胶包括所述完全保留区和位于所述完全保留区一端的部分保留区；

对所述栅极金属层进行过刻蚀，形成栅极，使得所述部分保留区悬空，所述完全保留区未与所述部分保留区连接的一端悬空；

通过灰化工艺，去除所述光刻胶的所述部分保留区，并使所述完全保留区减薄；

对所述有源层进行离子注入，所述光刻胶和所述栅极均未遮挡的区域，成为所述源极欧姆接触区和所述漏极欧姆接触区；

剥离所述光刻胶；

对所述有源层进行离子注入，剥离所述光刻胶后暴露的区域，成为所述轻掺杂区，所述栅极遮挡的区域成为所述沟道区；

形成所述层间绝缘层，经过构图工艺，使所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层上形成对应于所述源极和所述漏极的过孔；

形成源漏极金属层，经过构图工艺形成所述源极和所述漏极，所述源极和所述漏极通过所述过孔分别与所述源极欧姆接触区和所述漏极欧姆接触区连接。