[发明专利]分离栅功率器件的栅极结构及工艺方法有效
| 申请号： | 201410835652.7 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104465728B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 冯岩 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分离栅功率器件的栅极结构，在硅衬底上具有沟槽，沟槽侧壁及底部附着有一层氧化层，沟槽内下部具有分离栅极，分离栅极上部同样覆盖有一层氧化硅，与沟槽侧壁及底部的氧化硅层一起将分离栅极形成包围，沟槽上部为栅极，硅衬底表面为绝缘层，金属引线通过穿通绝缘层的接触孔将栅极引出。所述的栅极为U型结构的多晶硅薄栅，其内部填充满金属钨，接触孔与填充的金属钨连接，将栅极引出。本发明还公开了所述分离栅功率器件的栅极结构的工艺方法。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 功率 器件 栅极 结构 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种分离栅功率器件的栅极结构的工艺方法，其特征在于：包含如下步骤：第一步，沟槽刻蚀形成之后，沟槽内淀积一层氧化层；之后淀积多晶硅并回刻，形成位于沟槽下部的分离栅；再淀积氧化层并回刻，形成分离栅上方的氧化层；第二步，沟槽内再淀积一层多晶硅，淀积的多晶硅厚度不超过沟槽深度；第三步，沟槽内再淀积金属填充沟槽；第四步，先对金属进行刻蚀，再对多晶硅进行刻蚀；形成U型的薄多晶硅栅包裹金属的结构，避免了多晶硅完整填充而造成的由于填孔能力缺陷形成空洞；第五步，淀积层间介质，刻蚀接触孔并淀积金属，制作金属引线。
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