[发明专利]分离栅功率器件的栅极结构及工艺方法有效
| 申请号： | 201410835652.7 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104465728B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 冯岩 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分离 功率 器件 栅极 结构 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种分离栅功率器件的栅极结构的工艺方法，其特征在于：包含如下步骤：
第一步，沟槽刻蚀形成之后，沟槽内淀积一层氧化层；之后淀积多晶硅并回刻，形成位于沟槽下部的分离栅；再淀积氧化层并回刻，形成分离栅上方的氧化层；
第二步，沟槽内再淀积一层多晶硅，淀积的多晶硅厚度不超过沟槽深度；
第三步，沟槽内再淀积金属填充沟槽；
第四步，先对金属进行刻蚀，再对多晶硅进行刻蚀；形成U型的薄多晶硅栅包裹金属的结构，避免了多晶硅完整填充而造成的由于填孔能力缺陷形成空洞；
第五步，淀积层间介质，刻蚀接触孔并淀积金属，制作金属引线。
2.如权利要求1所述的分离栅功率器件的栅极结构的工艺方法，其特征在于：所述第三步中，淀积的金属为钨，厚度不低于沟槽深度的1/100。
3.如权利要求1所述的分离栅功率器件的栅极结构的工艺方法，其特征在于：所述第二步和第三步之间，还能选择性地增加隔离层制作工艺。
4.如权利要求1所述的分离栅功率器件的栅极结构的工艺方法，其特征在于：所述第三步和第四步之间，还能选择性地增加光刻定义栅极结构图形的步骤。
5.如权利要求1所述的分离栅功率器件的栅极结构的工艺方法，其特征在于：所述第四步中，两次的刻蚀采用干法、湿法或者化学机械研磨，刻蚀钨到低于硅表面，再刻蚀多晶硅到低于硅表面。
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