[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制备方法，涉及有机半导体器件领域，通过该制备方法，可以降低有机薄膜晶体管的关态电流，进而提高其开关比。一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，还包括：至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理。用于有机薄膜晶体管、包含该有机薄膜晶体管的显示面板或者显示装置的制备。

主权项

1.一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其特征在于，还包括：至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理，使得因水、氧吸附在所述有机半导体层用于形成沟道的部分形成的表面电荷被所述等离子中和，同时，所述等离子通过化学作用或物理作用吸附在所述有机半导体层用于形成沟道的部分的表面，阻止水、氧再次侵蚀；所述等离子为氩等离子、氮等离子或者氧等离子；所述至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理包括：将形成所述有机半导体层之后的衬底，置于等离子体处理装置的腔体中；所述等离子体处理装置包括射频电源，所述射频电源用于将向所述腔体供给的气体等离子化；经等离子化的气体至少作用于所述有机半导体层用于形成沟道的部分的表面；在进行等离子表面处理的过程中，所述射频电源的功率设置范围为1-20W；所述等离子体处理装置的腔体的压强设置为1bar；所述经等离子化的气体至少作用于所述有机半导体层用于形成沟道的部分的表面具体为：在不超过10s的时间内，经等离子化的气体至少作用于所述有机半导体层用于形成沟道的部分的表面。