[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其特征在于，还包括：至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理，使得因水、氧吸附在所述有机半导体层用于形成沟道的部分形成的表面电荷被所述等离子中和，同时，所述等离子通过化学作用或物理作用吸附在所述有机半导体层用于形成沟道的部分的表面，阻止水、氧再次侵蚀；所述等离子为氩等离子、氮等离子或者氧等离子；

所述至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理包括：将形成所述有机半导体层之后的衬底，置于等离子体处理装置的腔体中；所述等离子体处理装置包括射频电源，所述射频电源用于将向所述腔体供给的气体等离子化；经等离子化的气体至少作用于所述有机半导体层用于形成沟道的部分的表面；

在进行等离子表面处理的过程中，所述射频电源的功率设置范围为1-20W；所述等离子体处理装置的腔体的压强设置为1bar；

所述经等离子化的气体至少作用于所述有机半导体层用于形成沟道的部分的表面具体为：在不超过10s的时间内，经等离子化的气体至少作用于所述有机半导体层用于形成沟道的部分的表面。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极具体包括：

在衬底上形成栅极以及覆盖所述栅极的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有机半导体层；

在所述有机半导体层上形成源极和漏极；

其中，所述至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理具体包括：

在所述有机半导体层上形成源极和漏极之前，且在所述栅绝缘层上形成有机半导体层之后，对所述有机半导体层进行等离子表面处理；或者，

在所述有机半导体层上形成源极和漏极之后，至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极具体包括：

在衬底上形成栅极以及覆盖所述栅极的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成源极和漏极；

在所述源极和所述漏极上形成有机半导体层；

其中，所述至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理具体包括：

在所述源极和所述漏极上形成有机半导体层之后，对所述有机半导体层进行等离子表面处理。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极具体包括：

在衬底上形成有机半导体层；

在所述有机半导体层上形成源极和漏极；

在所述源极和所述漏极上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成栅极；

其中，所述至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理具体包括：

在形成有机半导体层之后，且在所述有机半导体层上形成源极和漏极之前，对所述有机半导体层进行等离子表面处理；或者，

在所述有机半导体层上形成源极和漏极之后，且在所述源极和所述漏极上形成栅绝缘层之前，至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极具体包括：

在衬底上形成源极和漏极；

在所述源极和所述漏极上形成有机半导体层；

在所述有机半导体层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成栅极；

其中，所述至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理具体包括：

在所述源极和所述漏极上形成有机半导体层之后，且在所述有机半导体层上形成栅绝缘层之前，对所述有机半导体层进行等离子表面处理。

6.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机薄膜晶体管由权利要求1-5任一项所述的制备方法形成。