[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法

说明书

本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制备方法，涉及有机半导体器件领域，通过该制备方法，可以降低有机薄膜晶体管的关态电流，进而提高其开关比。一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，还包括：至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理。用于有机薄膜晶体管、包含该有机薄膜晶体管的显示面板或者显示装置的制备。

技术领域

本发明涉及有机半导体器件领域，尤其涉及一种有机薄膜晶体管及其制备方法。

背景技术

OTFT(Organic Thin film Transistor，有机薄膜晶体管)相较于传统的非晶硅TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)或者氧化物TFT具有成本低、可用于柔性显示等特点，在显示技术领域具有较好的应用前景。OTFT一般作为开关管应用于OTFT-LCD(Organic Thin film Transistor-Liquid Crystal Display，有机薄膜晶体管液晶显示器)中。影响OTFT性能的参数很多，其中开态电流和关态电流是两个重要的参数。通常将开态电流与关态电流的比值称为开关比，开关比越高，则OTFT的开关性能越好。

OTFT的基本结构可以参考图1所示，OTFT包括栅极10、栅绝缘层11、有机半导体层12、源极13和漏极14。在OTFT-LCD的实际生产中，参考图2所示，OTFT-LCD的显示面板包括多条栅线15和数据线16，栅线15和数据线16交叉形成多个显示单元，每个显示单元设置有一个OTFT17和像素电极18，其中OTFT17的栅极(图中未示出)与栅线15电连接，源极(图中未示出)与数据线16电连接，漏极(图中未示出)与像素电极18电连接。OTFT-LCD的显示原理为：在一个扫描周期内，栅线15逐行向OTFT17的栅极提供电压，同时数据线16向OTFT17的源极提供电压，这样像素电极18写入图像信号，从而实现一帧画面的显示。为了使得像素电极18的电压能保持到下一次更新画面，即使得当前帧图像保持到下一帧更新图像，一般可以利用像素电极18与栅线15形成像素电容(图中未示出)，像素电容可以向像素电极18提供电压，从而保证连续两帧图像的显示不间断。

具体的，利用OTFT的导通状态实现对像素电容快速充电，利用OTFT的关闭状态保持像素电容的电压。当关态电流较大时，像素电容储存的电荷很快衰减，则像素电容难以向像素电极提供充足的电压，此时，必须对像素电容再次充电或者多次充电才能满足画面的连续正常显示；这样，显示面板显示一帧画面的时间就会延长，而显示面板的刷新率与该时间成反比关系，则显示面板的刷新率就会相应降低。因此，实现显示装置的高刷新率要求OTFT具有较低的关态电流。

发明内容

本发明的实施例提供一种有机薄膜晶体管及其制备方法，通过该制备方法，可以降低有机薄膜晶体管的关态电流，进而提高其开关比。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供了一种有机薄膜晶体管的制备方法，所述制备方法包括：在衬底上形成栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，还包括：至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理。

另一方面，提供了一种有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管由本发明实施例提供的任一项所述的制备方法形成。

本发明的实施例提供了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，该制备方法通过对有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理，使得因水、氧吸附在该部分形成的表面电荷被等离子中和，从而有机薄膜晶体管的关态电流降低；同时，等离子通过化学作用或者物理作用吸附在有机半导体层用于形成沟道的部分的表面，阻止水、氧再次对该部分侵蚀，使得有机薄膜晶体管的关态电流始终维持在较小值。通过该制备方法，可以降低有机薄膜晶体管的关态电流，进而提高其开关比。

附图说明