[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410817547.0 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105405888B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陈建颖;程潼文;张哲诚;巫柏奇;林志忠;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括：具有中心部分和边缘部分的衬底；位于衬底上方的隔离层；部分地设置在隔离层中且具有顶面和侧壁表面的半导体鳍；设置在衬底的边缘部分处的、覆盖半导体鳍的顶面的一部分和侧壁表面的一部分的第一栅极；以及设置在衬底的中心部分处的、覆盖半导体鳍的顶面的一部分和侧壁表面的一部分的第二栅极。第一栅极的接近隔离层的下部宽度小于第一栅极的接近半导体鳍的顶面的上部宽度。本发明还提供了一种在衬底上制造该半导体结构的方法以及一种FinFET器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：衬底，具有中心部分和边缘部分；多个半导体管芯，位于所述衬底上方，所述边缘部分包括其中所述半导体管芯的至少一面与所述衬底的周界接触的区域；隔离层，位于所述多个半导体管芯上方；半导体鳍，具有顶面和侧壁表面，所述半导体鳍部分地设置在所述隔离层中；第一栅极，覆盖所述半导体鳍的顶面的一部分和侧壁表面的一部分，并且设置在所述衬底的边缘部分处；以及第二栅极，覆盖所述半导体鳍的顶面的一部分和侧壁表面的一部分，并且设置在所述衬底的中心部分处，其中，所述第一栅极的接近所述隔离层的下部宽度小于所述第一栅极的接近所述半导体鳍的顶面的上部宽度。
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