[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底，具有中心部分和边缘部分；

多个半导体管芯，位于所述衬底上方，所述边缘部分包括其中所述半导体管芯的至少一面与所述衬底的周界接触的区域；

隔离层，位于所述多个半导体管芯上方；

半导体鳍，具有顶面和侧壁表面，所述半导体鳍部分地设置在所述隔离层中；

第一栅极，覆盖所述半导体鳍的顶面的一部分和侧壁表面的一部分，并且设置在所述衬底的边缘部分处；以及

第二栅极，覆盖所述半导体鳍的顶面的一部分和侧壁表面的一部分，并且设置在所述衬底的中心部分处，

其中，所述第一栅极的接近所述隔离层的下部宽度小于所述第一栅极的接近所述半导体鳍的顶面的上部宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述衬底还包括：所述衬底的所述中心部分处的密集栅极区域和分散栅极区域以及所述边缘部分处的密集栅极区域和分散栅极区域。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，所述下部宽度和所述上部宽度之间的差低于15nm。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，通过光谱临界尺寸方法测量的所述下部宽度和所述上部宽度之间的差值的3σ标准差值低于2nm。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，通过光谱临界尺寸方法测量的所述下部宽度和所述上部宽度之间的差值低于2.6nm。

6.根据权利要求2所述的半导体结构，所述分散栅极区域中的第二栅极的下部宽度和上部宽度之间的差减去所述分散栅极区域中的第一栅极的下部宽度和上部宽度的差小于2.5nm。

7.根据权利要求2所述的半导体结构，所述密集栅极区域中的第二栅极的下部宽度和上部宽度之间的差与所述密集栅极区域中的第一栅极的下部宽度和上部宽度之间的差相同。

8.一种FinFET结构，包括：

第一半导体鳍，具有顶面和侧壁表面；

第一金属栅极，位于所述第一半导体鳍的一部分上方，包围所述第一半导体鳍的顶面和侧壁表面，所述第一金属栅极设置在位于衬底的边缘部分处的半导体管芯上，所述边缘部分包括其中所述半导体管芯的至少一面与所述衬底的周界接触的区域；

其中，所述第一金属栅极的底部处的第一金属栅极宽度小于所述第一半导体鳍的顶面处的第二金属栅极宽度。

9.根据权利要求8所述的FinFET结构，其中，所述第一金属栅极宽度和所述第二金属栅极宽度之间的差低于15nm。

10.根据权利要求9所述的FinFET结构，其中，所述第二金属栅极宽度介于28nm至32nm的范围内。

11.根据权利要求9所述的FinFET结构，其中，所述第二金属栅极宽度介于235nm至245nm的范围内。

12.根据权利要求10所述的FinFET结构，所述第一金属栅极宽度和所述第二金属栅极宽度之间的差介于1.5nm至2.5nm的范围内。

13.根据权利要求11所述的FinFET结构，还包括位于第二半导体鳍的一部分上方的第二金属栅极，包围所述第二半导体鳍的顶面和侧壁表面，所述第二金属栅极设置在所述衬底的中心部分处的半导体管芯上，其中，所述第二金属栅极的底部处的第三金属栅极宽度小于所述第二半导体鳍的顶面处的第四金属栅极宽度；以及

衬底的边缘部分处的所述第一金属栅极宽度和所述第二金属栅极宽度之间的差与所述衬底的中心部分处的所述第三金属栅极宽度和所述第四金属栅极宽度之间的差的比率低于2。