[发明专利]动态随机存取存储器的有源区接触窗及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410803389.3 申请日: 2014-12-22
公开(公告)号: CN105789179B 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 陈佩瑜;欧阳自明 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: H01L21/8242 分类号: H01L21/8242;H01L23/528;H01L21/768;H01L27/108
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种动态随机存取存储器的有源区接触窗及其制造方法,其中的存储器有源区制造方法,包括在基板上形成导电层,覆盖接触窗区域与位线。上述动态随机存取存储器至少包括基板、基板内的隔离结构、经由隔离结构隔开的有源区、穿过有源区的埋入式字线以及基板上的位线,其中每一有源区包括多个接触窗区域。在形成导电层后,去除接触窗区域以外的上述导电层,以形成多个有源区接触窗,再于所述基板上形成绝缘层,覆盖有源区接触窗。
搜索关键词: 动态 随机存取存储器 有源 接触 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法,其特征在于,所述动态随机存取存储器至少包括基板、所述基板内的多个隔离结构、经由所述隔离结构隔开的多个有源区、穿过所述有源区的数条埋入式字线、以及所述基板上的多条位线,其中每一所述有源区包括多个接触窗区域,所述制造方法包括:在所述基板上形成导电层,覆盖所述接触窗区域与所述位线;去除所述接触窗区域以外的所述导电层,以形成多个有源区接触窗;以及在所述基板上形成绝缘层,覆盖所述有源区接触窗。
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