[发明专利]动态随机存取存储器的有源区接触窗及其制造方法有效
申请号: | 201410803389.3 | 申请日: | 2014-12-22 |
公开(公告)号: | CN105789179B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 陈佩瑜;欧阳自明 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242;H01L23/528;H01L21/768;H01L27/108 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种动态随机存取存储器的有源区接触窗及其制造方法,其中的存储器有源区制造方法,包括在基板上形成导电层,覆盖接触窗区域与位线。上述动态随机存取存储器至少包括基板、基板内的隔离结构、经由隔离结构隔开的有源区、穿过有源区的埋入式字线以及基板上的位线,其中每一有源区包括多个接触窗区域。在形成导电层后,去除接触窗区域以外的上述导电层,以形成多个有源区接触窗,再于所述基板上形成绝缘层,覆盖有源区接触窗。 | ||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 有源 接触 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法,其特征在于,所述动态随机存取存储器至少包括基板、所述基板内的多个隔离结构、经由所述隔离结构隔开的多个有源区、穿过所述有源区的数条埋入式字线、以及所述基板上的多条位线,其中每一所述有源区包括多个接触窗区域,所述制造方法包括:在所述基板上形成导电层,覆盖所述接触窗区域与所述位线;去除所述接触窗区域以外的所述导电层,以形成多个有源区接触窗;以及在所述基板上形成绝缘层,覆盖所述有源区接触窗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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