[发明专利]动态随机存取存储器的有源区接触窗及其制造方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，其特征在于，所述动态随机存取存储器至少包括基板、所述基板内的多个隔离结构、经由所述隔离结构隔开的多个有源区、穿过所述有源区的数条埋入式字线、以及所述基板上的多条位线，其中每一所述有源区包括多个接触窗区域，所述制造方法包括：

在所述基板上形成导电层，覆盖所述接触窗区域与所述位线；

去除所述接触窗区域以外的所述导电层，以形成多个有源区接触窗；以及

在所述基板上形成绝缘层，覆盖所述有源区接触窗。

2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，其特征在于，形成所述有源区接触窗的方法包括：利用点状光刻和蚀刻去除所述接触窗区域以外的所述导电层，形成柱形的所述有源区接触窗。

3.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，其特征在于，形成所述有源区接触窗的方法包括：平坦化所述导电层直到露出所述位线的顶面；以及利用线型光刻和蚀刻去除所述接触窗区域以外的所述导电层。

4.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，其特征在于，去除所述接触窗区域以外的所述导电层的步骤包括留下多条导电线层；以及形成所述绝缘层的方法包括利用自行氧化技术，将部分所述导电线层转变为绝缘材料。

5.根据权利要求4所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，其特征在于，所述自行氧化技术包括临场蒸气产生技术、湿式氧化法或低温等离子氧化法。

6.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，其特征在于，形成所述绝缘层的方法包括：共形地形成覆盖所述有源区接触窗的氮化硅层与氮氧化硅层；以及利用旋涂法在所述基板上形成旋涂式玻璃层。

7.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，其特征在于，形成所述绝缘层的方法包括利用原子层沉积方法在所述基板上的所述有源区接触窗之间填入氮化硅层。

8.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，其特征在于，形成所述导电层之前还包括在所述位线的侧面形成间隙壁，以隔离所述导电层与所述位线。

9.一种动态随机存取存储器的有源区接触窗，所述动态随机存取存储器至少包括基板、所述基板内的多个隔离结构、经由所述隔离结构隔开的多个有源区、穿过所述有源区的数条埋入式字线、以及在所述基板上与所述埋入式字线相交的数条位线，其中每一所述有源区包括多个接触窗区域，其特征在于：

所述有源区接触窗分别位于所述接触窗区域上，其中

每一所述有源区接触窗为柱形；

在两两所述位线之间的所述有源区接触窗的侧面为弧面；以及

每一所述有源区接触窗的底面面积大于顶面面积，所述底面直接与所述接触窗区域接触。

10.根据权利要求9所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗，其特征在于，所述有源区接触窗的材料包括多晶硅。

11.根据权利要求9所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗，其特征在于，所述有源区接触窗与所述位线接触的面为平面。

12.根据权利要求9所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗，其特征在于，所述有源区接触窗的所述顶面高于所述位线的顶面。

13.根据权利要求9所述的动态随机存取存储器的有源区接触窗，其特征在于，所述有源区接触窗的所述顶面与所述位线的顶面齐平。