[发明专利]动态随机存取存储器的有源区接触窗及其制造方法

说明书

本发明提供一种动态随机存取存储器的有源区接触窗及其制造方法，其中的存储器有源区制造方法，包括在基板上形成导电层，覆盖接触窗区域与位线。上述动态随机存取存储器至少包括基板、基板内的隔离结构、经由隔离结构隔开的有源区、穿过有源区的埋入式字线以及基板上的位线，其中每一有源区包括多个接触窗区域。在形成导电层后，去除接触窗区域以外的上述导电层，以形成多个有源区接触窗，再于所述基板上形成绝缘层，覆盖有源区接触窗。

技术领域

本发明涉及一种动态随机存取存储器(DRAM)，尤其涉及一种动态随机存取存储器的有源区接触窗(AA contact)及其制造方法。

背景技术

随着大厂扩厂影响，存储器市场环境日趋严峻，各家大厂积极戮力于制程技术研发及降低制程成本，制程微缩为主要成本降低的途径。芯片尺寸(chip size)缩小不仅对于曝光机台技术及蚀刻能力极具挑战，还因为字线间距和存储器阵列的隔离结构不断缩小，导致种种不良影响。譬如接触窗(contact)阻值Rs部分，因为芯片尺寸的微缩，导致接触窗体积跟着减少，进而大幅增加接触窗阻值，故如何改善接触窗Rs也是一大课题。

目前的接触窗是采行后形成的沟填方式，即通过蚀刻制程在绝缘层或介电层中蚀刻出接触窗开口，再填入导体材料。

发明内容

本发明提供一种动态随机存取存储器的有源区接触窗及其制造方法，能改善接触窗阻值并扩大接触窗的制程窗(process window)。

本发明的一种动态随机存取存储器的有源区接触窗的制造方法，包括在基板上形成导电层，覆盖接触窗区域与位线。所述动态随机存取存储器至少包括基板、基板内的隔离结构、经由隔离结构隔开的有源区、穿过有源区的埋入式字线以及基板上的位线，其中每一有源区包括多个接触窗区域。然后，去除接触窗区域以外的上述导电层，以形成多个有源区接触窗，再于所述基板上形成绝缘层，覆盖有源区接触窗。

在本发明的一实施例中，上述有源区接触窗的形成方法包括利用点状光刻和蚀刻去除接触窗区域以外的导电层，形成柱形的有源区接触窗。

在本发明的一实施例中，上述有源区接触窗的形成方法包括先平坦化导电层直到露出位线的顶面，再利用线型光刻和蚀刻去除接触窗区域以外的导电层。

在本发明的一实施例中，去除上述接触窗区域以外的导电层的步骤包括留下多条导电线层，而形成上述绝缘层的方法包括利用自行氧化技术，将部分导电线层转变为绝缘材料。

在本发明的一实施例中，上述自行氧化技术包括临场蒸气产生技术(ISSG)、湿式氧化法或低温等离子氧化法(SPA oxide)。

在本发明的一实施例中，形成上述绝缘层的方法包括共形地形成覆盖有源区接触窗的氮化硅层与氮氧化硅层，再利用旋涂法在基板上形成旋涂式玻璃层(SOG)。

在本发明的一实施例中，形成上述绝缘层的方法包括利用原子层沉积(ALD)在基板上的有源区接触窗之间填入氮化硅层。

在本发明的一实施例中，形成上述导电层之前还可在位线的侧面形成间隙壁，以隔离导电层与位线。

本发明另提供一种动态随机存取存储器的有源区接触窗，能在芯片尺寸日益缩减时仍维持其低阻值并具有较大的底面积。

本发明的另一种动态随机存取存储器的有源区接触窗，所述动态随机存取存储器至少包括基板、基板内的隔离结构、经由隔离结构隔开的有源区、穿过有源区的埋入式字线、以及在基板上与埋入式字线相交的位线。每一有源区包括多个接触窗区域。所述有源区接触窗分别位于所述接触窗区域上，其中每一有源区接触窗为柱形；在两两位线之间的有源区接触窗的侧面为弧面；以及每一有源区接触窗的底面面积大于顶面面积，且底面是直接与接触窗区域接触的那一面。

在本发明的另一实施例中，上述有源区接触窗的材料包括多晶硅。