[发明专利]一种旁路二极管上电极的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410798461.8 申请日: 2014-12-19
公开(公告)号: CN105789034A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 梁存宝;肖志斌;杜永超;铁剑锐 申请(专利权)人: 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/329
代理公司: 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 代理人: 李凤
地址: 300384 天津市滨海*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种旁路二极管上电极的制备方法。本发明属于物理电源技术领域。一种旁路二极管上电极的制备方法,其特点是:旁路二极管上电极采用光刻技术,将上电极光刻出图形,然后蒸镀上电极,制备过程包括以下工艺步骤:(1)涂胶:采用已做完硼、磷扩散的衬底硅片,在匀胶机上涂布BP218光刻胶;(2)烘胶:在88-93℃条件下,烘干19-22min;(3)曝光:接通光刻机,放好光刻版,曝光16s~20s;(4)显影:硅片放入显影液显影;(5)上电极蒸镀:真空镀膜机上进行电极蒸镀,上电极蒸镀钛层、钯层和银层;(6)去胶:将电池片浸在丙酮溶液中,将其表面的光刻胶去除。本发明具有工艺简单,工艺难度低,加工方便,产品上电极大大降低反向漏电流指标等优点。
搜索关键词: 一种 旁路 二极管 电极 制备 方法
【主权项】:
一种旁路二极管上电极的制备方法,其特征是:旁路二极管上电极采用光刻技术,将上电极光刻出图形,然后蒸镀上电极,制备过程包括以下工艺步骤:(1)涂胶采用已做完硼、磷扩散的衬底硅片,将硅片放在匀胶机上,涂布BP218光刻胶,匀胶时间为15s~20s;(2)烘胶在88‑93℃条件下,烘干19‑22min;(4)曝光接通光刻机,光强监测光强15mw/cm2~20mw/cm2,放好光刻版,使光刻版图形在承片台中心位置,光刻版铬面朝向硅片匀胶面,曝光灯光强稳定后,将硅片装入光刻机的承片台上,曝光16s~20s;(5)显影将曝光后的硅片装入硅片承载器内,放入显影液中,显影时间为30s~40s;(6)上电极蒸镀将硅片放在模具上,磷扩面朝下,装入真空室中,将钛、钯、银膜料分别放入对应坩埚内,真空镀膜机上进行电极蒸镀,上电极蒸镀钛层、钯层和银层;(7)去胶将电池片浸在丙酮溶液中,将其表面的光刻胶去除,完成上电极制作。
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