[发明专利]一种旁路二极管上电极的制备方法在审
| 申请号: | 201410798461.8 | 申请日: | 2014-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN105789034A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
| 发明(设计)人: | 梁存宝;肖志斌;杜永超;铁剑锐 | 申请(专利权)人: | 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 李凤 |
| 地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种旁路二极管上电极的制备方法。本发明属于物理电源技术领域。一种旁路二极管上电极的制备方法,其特点是:旁路二极管上电极采用光刻技术,将上电极光刻出图形,然后蒸镀上电极,制备过程包括以下工艺步骤:(1)涂胶:采用已做完硼、磷扩散的衬底硅片,在匀胶机上涂布BP218光刻胶;(2)烘胶:在88-93℃条件下,烘干19-22min;(3)曝光:接通光刻机,放好光刻版,曝光16s~20s;(4)显影:硅片放入显影液显影;(5)上电极蒸镀:真空镀膜机上进行电极蒸镀,上电极蒸镀钛层、钯层和银层;(6)去胶:将电池片浸在丙酮溶液中,将其表面的光刻胶去除。本发明具有工艺简单,工艺难度低,加工方便,产品上电极大大降低反向漏电流指标等优点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 旁路 二极管 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种旁路二极管上电极的制备方法,其特征是:旁路二极管上电极采用光刻技术,将上电极光刻出图形,然后蒸镀上电极,制备过程包括以下工艺步骤:(1)涂胶采用已做完硼、磷扩散的衬底硅片,将硅片放在匀胶机上,涂布BP218光刻胶,匀胶时间为15s~20s;(2)烘胶在88‑93℃条件下,烘干19‑22min;(4)曝光接通光刻机,光强监测光强15mw/cm2~20mw/cm2,放好光刻版,使光刻版图形在承片台中心位置,光刻版铬面朝向硅片匀胶面,曝光灯光强稳定后,将硅片装入光刻机的承片台上,曝光16s~20s;(5)显影将曝光后的硅片装入硅片承载器内,放入显影液中,显影时间为30s~40s;(6)上电极蒸镀将硅片放在模具上,磷扩面朝下,装入真空室中,将钛、钯、银膜料分别放入对应坩埚内,真空镀膜机上进行电极蒸镀,上电极蒸镀钛层、钯层和银层;(7)去胶将电池片浸在丙酮溶液中,将其表面的光刻胶去除,完成上电极制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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