[发明专利]一种旁路二极管上电极的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于物理电源技术领域，特别是涉及一种旁路二极管上电极的制备方法。

背景技术

目前，对于太阳电池阵来讲,旁路二极管是极其重要的一部分。其原理是，当某太阳 电池出现热斑效应不能发电时，起到旁路作用，让其它正常的电池所产生的电流从旁路二 极管流出，使太阳能发电系统能够继续发电，不会因为某一片故障电池，而产生电路不通 的情形，当电池片正常工作时，旁路二极管就会反向截止，对电路不产生较大的影响。

对于目前水平，现有的旁路二极管产品，反向漏电流较高，均在几十毫安以上，且尚未 发现有同样或类似产品；www.azurspace.com网站有类似二极管产品，其反向漏电流达到 0.1uA～1.0uA(同条件下测)的水平，其缺点是存在反向漏电流也不能满足空间太阳电池 旁路二极管要求更低的反向漏电流(nA级)指标的需求等技术问题。

发明内容

本发明为解决公知技术中存在的技术问题而提供一种旁路二极管上电极的制备方法。

本发明解决了背景技术存在的反向漏电流大的技术问题，提供了能够实现具有低反向 漏电流的旁路二极管上电极结构，能够满足空间用旁路二极管的需求。

本发明的目的是提供一种具有工艺简单，制造工艺难度低，加工方便，产品上电极能 够降低反向漏电流指标等特点的旁路二极管上电极的制备方法。

本发明旁路二极管上电极的制备方法所采取的技术方案是：

一种旁路二极管上电极的制备方法，其特点是：旁路二极管上电极采用光刻技术，将 上电极光刻出图形，然后蒸镀上电极，制备过程包括以下工艺步骤：

(1)涂胶

采用已做完硼、磷扩散的衬底硅片，将硅片放在匀胶机上，涂布BP218光刻胶，匀 胶时间为15s～20s；

(2)烘胶

在88-93℃条件下，烘干19-22min；

(3)曝光

接通光刻机，光强监测光强15mw/cm²～20mw/cm²，放好光刻版，使光刻版图形在承 片台中心位置，光刻版铬面朝向硅片匀胶面，曝光灯光强稳定后，将硅片装入光刻机的承 片台上，曝光16s～20s；

(4)显影

将曝光后的硅片装入硅片承载器内，放入显影液中，显影时间为30s～40s；

(5)上电极蒸镀

将硅片放在模具上，磷扩面朝下，装入真空室中，将钛、钯、银膜料分别放入对应 坩埚内，真空镀膜机上进行电极蒸镀，上电极蒸镀钛层、钯层和银层；

(6)去胶

将电池片浸在丙酮溶液中,将其表面的光刻胶去除，完成上电极制作。

本发明旁路二极管上电极的制备方法还可以采取如下技术方案：

所述的旁路二极管上电极的制备方法，其特点是：光刻版的设计电极图形边缘与硅片 边缘距离为600μm。

所述的旁路二极管上电极的制备方法，其特点是：上电极蒸镀的钛膜层厚度为钯膜层厚度为银膜层总厚度为

所述的旁路二极管上电极的制备方法，其特点是：上电极蒸镀时，起始真空度不低于 3×10^-4Pa。

所述的旁路二极管上电极的制备方法，其特点是：去胶时，将电池片浸在丙酮溶液时 间为25-40min。

本发明具有的优点和积极效果是：

旁路二极管上电极的制备方法由于采用了本发明全新的技术方案，与现有技术相比， 本发明通过采用光刻技术，将上电极光刻出图形，然后蒸镀上电极。为了降低边缘漏电， 在结构设计上，采用了上电极局部覆盖的结构设计，目的是阻断了上电极通过硅片边缘与 下表面电极的连接，即大大降低了上下电极间物理短接的可能性，该上电极结构设计及使 用，使得反向漏电流指标降低明显，其效果显著。

表1反向漏电对比数据

附图说明

图1是空间用旁路二极管剖面结构示意图；

其中，1-上电极(Ti-Pd-Ag)，2-硅基区(p型)，3-下电极(Al-Ti-Pd-Ag)。

图2是光刻版设计结构示意图；

图中，A是上电极边界，B是硅片衬底边界；

图3是旁路二极管上电极俯视结构结构示意图。

具体实施方式