[发明专利]一种旁路二极管上电极的制备方法

权利要求书

1.一种旁路二极管上电极的制备方法，其特征是：旁路二极管上电极采用光刻技术， 将上电极光刻出图形，然后蒸镀上电极，制备过程包括以下工艺步骤：

(1)涂胶

采用已做完硼、磷扩散的衬底硅片，将硅片放在匀胶机上，涂布BP218光刻胶， 匀胶时间为15s～20s；

(2)烘胶

在88-93℃条件下，烘干19-22min；

(4)曝光

接通光刻机，光强监测光强15mw/cm²～20mw/cm²，放好光刻版，使光刻版图形 在承片台中心位置，光刻版铬面朝向硅片匀胶面，曝光灯光强稳定后，将硅片装入 光刻机的承片台上，曝光16s～20s；

(5)显影

将曝光后的硅片装入硅片承载器内，放入显影液中，显影时间为30s～40s；

(6)上电极蒸镀

将硅片放在模具上，磷扩面朝下，装入真空室中，将钛、钯、银膜料分别放入 对应坩埚内，真空镀膜机上进行电极蒸镀，上电极蒸镀钛层、钯层和银层；

(7)去胶

将电池片浸在丙酮溶液中,将其表面的光刻胶去除，完成上电极制作。

2.根据权利要求1所述的旁路二极管上电极的制备方法，其特征是：光刻版的设计电 极图形边缘与硅片边缘距离为600μm。

3.根据权利要求1或2所述的旁路二极管上电极的制备方法，其特征是：上电极蒸镀 的钛膜层厚度为钯膜层厚度为银膜层总厚度为

4.根据权利要求3所述的旁路二极管上电极的制备方法，其特征是：上电极蒸镀时， 起始真空度不低于3×10^-4Pa。

5.根据权利要求1所述的旁路二极管上电极的制备方法，其特征是：去胶时，将电池 片浸在丙酮溶液时间为25-40min。