[发明专利]N1位取代的咪唑化合物与碱性阴离子交换膜及制备在审

专利信息
申请号: 201410783501.1 申请日: 2014-12-16
公开(公告)号: CN105777642A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 孙公权;杨丛荣;王素力 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: C07D233/58 分类号: C07D233/58;C08G65/48;C08F12/08;C08F8/30;C08F8/24;C08J5/22;H01M8/10
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种N1位取代的咪唑化合物R1为C1-C10的直链烷烃;R2为C1-C9的链状烷烃,或为C3-C6的环烷烃,或为苯基、或为联苯基。一种碱性阴离子交换膜,包括卤甲基化的高分子聚合物主链和分子式为的N1位烷基取代的咪唑支链。所述碱性阴离子交换膜的制备方法,包括N1位烷基取代咪唑的合成;卤甲基化高分子聚合物主链的制备;N1位烷基取代咪唑型阴离子交换膜的制备。本发明所述N1位烷基取代咪唑具有稳定性好、无毒、分子量适中;制得的N1位烷基取代咪唑型碱性阴离子交换膜表面均匀、平滑、热稳定性好、机械强度好,在碱性燃料电池中具有良好的应用价值。
搜索关键词: n1 取代 咪唑 化合物 碱性 阴离子 交换 制备
【主权项】:
N1位取代的咪唑化合物,其特征在于:结构式为R1为C1‑C10的直链烷烃;R2为C1‑C9的链状烷烃,或为C3‑C6的环烷烃,或为苯基、或为联苯基。
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