[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法。在采用如下制造方法时抑制MOSFET的阈值电压产生偏差，在该制造方法中，在半导体衬底上的整个面形成MOSFET的栅极氧化膜和多晶硅膜，之后形成ONO膜和形成MONOS型FET的栅极电极的多晶硅膜。在半导体衬底上的形成MOSFET的区域形成栅极氧化膜，进一步对成为上述MOSFET的栅极电极的第一多晶硅膜进行成膜。之后，对形成MONOS型FET的区域进行开口，使半导体衬底的半导体表面露出，通过依次沉积第一势垒膜、电荷积蓄膜、以及第二势垒膜而形成电荷积蓄3层膜。此时，在形成电荷积蓄3层膜之前，在第一多晶硅膜上对防氧化膜进行成膜。

主权项

一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括第一FET和第二FET，其中，所述半导体装置的制造方法包括以下的工序：（d）在半导体衬底上的形成所述第一FET的区域形成栅极绝缘膜的工序；（e）在所述工序（d）之后，在形成所述第一FET的区域对被添加了杂质的第一多晶硅膜进行成膜的工序；（h）在所述工序（e）之后，在所述第一多晶硅膜上进一步对防氧化膜进行成膜的工序；（i）在所述工序（h）之后，在形成所述第二FET的区域中使所述半导体衬底的半导体表面露出的工序；（m）在所述工序（i）之后，通过在所述半导体装置的整个表面形成氧化硅膜，从而在所述工序（i）中露出的所述半导体表面形成所述第二FET的栅极绝缘膜的至少一部分的工序。