[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括第一FET和第二FET，其中，所述半导体装置的制造方法包括以下的工序：

（d）在半导体衬底上的形成所述第一FET的区域形成栅极绝缘膜的工序；

（e）在所述工序（d）之后，在形成所述第一FET的区域对被添加了杂质的第一多晶硅膜进行成膜的工序；

（h）在所述工序（e）之后，在所述第一多晶硅膜上进一步对防氧化膜进行成膜的工序；

（i）在所述工序（h）之后，在形成所述第二FET的区域中使所述半导体衬底的半导体表面露出的工序；

（m）在所述工序（i）之后，通过在所述半导体装置的整个表面形成氧化硅膜，从而在所述工序（i）中露出的所述半导体表面形成所述第二FET的栅极绝缘膜的至少一部分的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一FET是P沟道MOSFET，在所述工序（d）中形成的所述栅极绝缘膜是氧化硅膜，对所述第一多晶硅膜添加的所述杂质是硼。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第二FET是MONOS型FET，所述工序（m）是通过在所述氧化硅膜上进一步依次沉积电荷积蓄膜、以及第二势垒膜而形成电荷积蓄3层膜的工序。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，所述防氧化膜是氮化硅膜，所述电荷积蓄膜是氮化硅膜或氮氧化硅膜，所述第二势垒膜是氧化硅膜。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，还包括以下的工序：

（f）在所述工序（e）之后，形成将所述第一FET和所述第二FET与其它元件分离的绝缘层的工序；

（g）在所述工序（f）之后且在所述工序（h）之前，在形成所述第二FET的区域，对被添加了杂质的第三多晶硅膜进一步进行成膜的工序，

在此，所述工序（h）是取代第一多晶硅膜而在所述第三多晶硅膜上对防氧化膜进行成膜的工序。

6.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置在同一半导体衬底上形成有第一FET和第二FET，其中，所述半导体装置的制造方法包括如下工序：在所述半导体衬底上依次沉积所述第一FET的栅极绝缘膜和作为栅极电极膜的被添加了杂质的多晶硅膜的工序之后且在所述半导体衬底的晶面上形成作为所述第二FET的栅极绝缘膜的至少一部分的氧化硅膜的工序之前，在所述多晶硅膜上形成防氧化膜。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一FET是P沟道MOSFET，对所述多晶硅膜添加的所述杂质是硼。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第二FET是MONOS型FET，所述第二FET的栅极绝缘膜是通过在所述氧化硅膜上进一步依次沉积电荷积蓄膜、以及第二势垒膜而形成的电荷积蓄3层膜。

9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，所述防氧化膜是氮化硅膜，所述电荷积蓄膜是氮化硅膜或氮氧化硅膜，所述第二势垒膜是氧化硅膜。