[发明专利]一种纳米H-In203 陶瓷的制备方法有效
申请号: | 201410757595.5 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN104478410A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 张金花;余大斌;王燕;王峰;冯玥玥;王自荣;袁忠才;赵大鹏;甘桂华 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军电子工程学院 |
主分类号: | C04B35/01 | 分类号: | C04B35/01;C04B35/626 |
代理公司: | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人: | 程笃庆;黄乐瑜 |
地址: | 230037 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种纳米H-In2O3陶瓷的制备方法,包括:将InCl3·4H2O、去离子水和乙二胺搅拌均匀,置于烘箱中保温20-30h,烘箱保温温度为160-200℃,取出冷却至室温,用蒸馏水和无水乙醇洗涤,干燥得到前驱物;将前驱物置于反应容器中,将装有前驱物的反应容器置于反应炉中保温0.8-1.2h得到H-In2O3纳米晶体,反应炉温度为300-500℃;将H-In2O3纳米晶体置于反应炉中保温保压1-3h得到纳米H-In2O3陶瓷,反应炉中温度为700-1000℃,反应炉中压力为40-70MPa。本发明反应要求低,节能环保,而且方法简单,操作方便。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 in sub 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米H‑In2O3陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、将InCl3·4H2O和去离子水加入反应釜中,待InCl3·4H2O完全溶解后,再加入乙二胺,接着搅拌均匀,将所述反应釜密封后,置于烘箱中保温20‑30h,烘箱保温温度为160‑200℃,然后将所述反应釜取出冷却至室温,用蒸馏水洗涤所述反应釜内壁得到混合物料,过滤后用无水乙醇洗涤滤饼,然后将洗涤后的滤饼干燥得到前驱物;S2、将S1制得的前驱物置于反应容器中,将装有前驱物的反应容器置于反应炉中保温0.8‑1.2h得到H‑In2O3纳米晶体,反应炉温度为300‑500℃;S3、将S2制得的H‑In2O3纳米晶体置于反应炉中保温保压1‑3h得到纳米H‑In2O3陶瓷,反应炉中温度为700‑1000℃,反应炉中压力为40‑70MPa。
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