[发明专利]一种纳米H-In203 陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201410757595.5 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104478410A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 张金花;余大斌;王燕;王峰;冯玥玥;王自荣;袁忠才;赵大鹏;甘桂华 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军电子工程学院 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/626 |
| 代理公司： | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人： | 程笃庆;黄乐瑜 |
| 地址： | 230037 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 in sub 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种纳米H-In2O3陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、将InCl3·4H2O和去离子水加入反应釜中，待InCl3·4H2O完全溶解后，再加入乙二胺，接着搅拌均匀，将所述反应釜密封后，置于烘箱中保温20-30h，烘箱保温温度为160-200℃，然后将所述反应釜取出冷却至室温，用蒸馏水洗涤所述反应釜内壁得到混合物料，过滤后用无水乙醇洗涤滤饼，然后将洗涤后的滤饼干燥得到前驱物；
S2、将S1制得的前驱物置于反应容器中，将装有前驱物的反应容器置于反应炉中保温0.8-1.2h得到H-In2O3纳米晶体，反应炉温度为300-500℃；
S3、将S2制得的H-In2O3纳米晶体置于反应炉中保温保压1-3h得到纳米H-In2O3陶瓷，反应炉中温度为700-1000℃，反应炉中压力为40-70MPa。
2.根据权利要求1所述纳米H-In2O3陶瓷的制备方法，其特征在于，S1中，InCl3·4H2O和去离子水的质量体积比(g/ml)为1:1-4，去离子水和乙二胺的体积比为1-4：30-50。
3.根据权利要求1或2所述纳米H-In2O3陶瓷的制备方法，其特征在于，S1中，按体积份数将InCl3·4H2O和2-3份去离子水加入反应釜中，待InCl3·4H2O完全溶解后，再加入35-45份乙二胺，接着搅拌均匀，将所述反应釜密封后，置于烘箱中保温24-26h，烘箱保温温度为175-185℃，然后将所述反应釜取出冷却至室温，用蒸馏水洗涤所述反应釜内壁得到混合物料，过滤后用无水乙醇洗涤滤饼，然后将洗涤后的滤饼干燥得到前驱物，其中InCl3·4H2O和去离子水的质量体积比(g/ml)为1:2-3。
4.根据权利要求1-3任一项所述纳米H-In2O3陶瓷的制备方法，其特征在于，S2中，将S1制得的前驱物置于反应容器中，将装有前驱物的反应容器置于反应炉中保温1h得到H-In2O3纳米晶体，反应炉温度为300-500℃。
5.根据权利要求1-4任一项所述纳米H-In2O3陶瓷的制备方法，其特征在于，S2中，将S1制得的前驱物置于反应容器中，将装有前驱物的反应容器置于反应炉中保温1h得到H-In2O3纳米晶体，反应炉温度为350-450℃。
6.根据权利要求1-5任一项所述纳米H-In2O3陶瓷的制备方法，其特征在于，S3中，将S2制得的H-In2O3纳米晶体置于反应炉中保温保压1.5-2.5h得到纳米H-In2O3陶瓷，反应炉中温度为750-950℃，反应炉中压力为45-65MPa。
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