[发明专利]用于形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410749770.6 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104701180B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.毛德;A.迈泽;H-J.舒尔策;H.韦伯;M.聪德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/331;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;徐红燕 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于形成半导体器件的方法，包括在半导体衬底的主表面处形成电气结构并且执行对半导体衬底的背侧表面的背侧表面区的阳极氧化，以在半导体衬底的背侧表面处形成氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 背侧表面 衬底 半导体 半导体器件 电气结构 阳极氧化 氧化层 主表面 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底的主表面处形成电气结构；以及执行对所述半导体衬底的背侧表面的背侧表面区的阳极氧化，以在所述半导体衬底的所述背侧表面处形成氧化层，在所述半导体衬底的所述背侧面处形成导电层，其中所述导电层的第一部分通过所述氧化层与所述半导体衬底的所述背侧表面分离，并且所述导电层的第二部分直接形成在所述半导体衬底的所述背侧表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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