[发明专利]用于形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底的主表面处形成电气结构；以及

执行对所述半导体衬底的背侧表面的背侧表面区的阳极氧化，以在所述半导体衬底的所述背侧表面处形成氧化层，

在所述半导体衬底的所述背侧面处形成导电层，其中所述导电层的第一部分通过所述氧化层与所述半导体衬底的所述背侧表面分离，并且所述导电层的第二部分直接形成在所述半导体衬底的所述背侧表面上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在比所述主表面处的电气结构可承受的最大温度更低的工艺温度下完成所述阳极氧化。

3.根据权利要求1所述的方法，包括在所述半导体衬底的所述背侧表面处形成与n掺杂区邻近的p掺杂区，其中在所述背侧表面中沿着所述n掺杂区延伸的第一部分中的所述氧化层具有比在所述背侧表面中沿着所述p掺杂区延伸的第二部分中的所述氧化层更大的厚度。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括移除在所述第二部分内的所述氧化层。

5.根据权利要求3所述的方法，包括在所述第一部分和所述第二部分处注入掺杂剂以至少在所述第二部分处形成场停止区。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括移除在背侧面发射极区的所述氧化层，并且在布置在所述半导体衬底的所述背侧表面处的所述背侧面发射极区处形成在所述半导体衬底内的发射极掺杂区。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括利用比用于形成所述发射极掺杂区的注入能量更高的注入能量注入第一导电类型的掺杂剂，以生成在被所述氧化层覆盖的区内以及在所述背侧面发射极区内的第一导电类型掺杂层，其中所述第一导电类型掺杂层延伸到所述背侧面发射极区内的第一平均深度并且延伸到被所述氧化层覆盖的所述区内的第二平均深度，其中第一深度大于第二深度。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述发射极掺杂区包括第一导电类型并且所述半导体衬底的邻近部分包括第二导电类型。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述半导体衬底的所述背侧面处形成场效应晶体管结构，其中所述氧化层形成在所述背侧面处的所述场效应晶体管结构的栅极氧化物。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括形成从所述背侧表面延伸到在所述半导体衬底的所述主表面处的所述电气结构的一部分的沟槽，其中在所述阳极氧化期间形成的所述氧化层至少覆盖所述沟槽的壁。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化层至少保留在围绕所述半导体衬底的边缘端子区处。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括形成到所述半导体衬底内的沟槽，其中在所述阳极氧化之后，所述沟槽至少主要由所述氧化层填充。

13.根据权利要求1所述的方法，其中通过在所述半导体表面处的p掺杂的量值的变化来形成具有梯度的所述氧化层。

14.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底的主表面之上形成导电层；

执行对所述导电层的表面的阳极氧化以在所述导电层的所述表面处形成氧化层；

将载体衬底连接到所述氧化层；以及

处理所述半导体衬底的背侧面。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述氧化层的表面包括至少一个不平坦区域，引起在所述载体衬底和所述氧化层之间的间隙，其中所述方法进一步包括通过将酸至少插入所述间隙中来移除载体衬底。