[发明专利]用于形成半导体器件的方法

说明书

用于形成半导体器件的方法，包括在半导体衬底的主表面处形成电气结构并且执行对半导体衬底的背侧表面的背侧表面区的阳极氧化，以在半导体衬底的背侧表面处形成氧化层。

技术领域

实施例涉及半导体器件的制造并且特别涉及用于形成半导体器件的方法。

背景技术

针对半导体器件的制造，使用各种各样的材料和工艺。通常，半导体器件的导电部分必须与半导体器件的其它导电部分电绝缘。半导体器件的最大可允许电压和可达到的寿命被半导体器件的电绝缘部分的质量和定尺寸强有力地影响。期望的是增大半导体器件的寿命和/或最大可允许电压。

发明内容

一些实施例涉及一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括在半导体衬底的主表面处形成电气结构。此外，该方法包括在半导体衬底的背侧表面处执行对背侧表面区的阳极氧化，以在半导体衬底的背侧表面形成氧化层。

另外的实施例涉及一种包括在半导体衬底的主表面之上形成导电层的用于形成半导体器件的方法。此外，该方法包括执行对导电层的表面的阳极氧化以在导电层的表面处形成氧化层。附加地，该方法包括将载体衬底连接到氧化层并且处理半导体衬底的背侧面。

一些实施例涉及一种包括形成从半导体衬底的主表面向着半导体衬底的相对背侧面延伸的边缘端子沟槽的用于形成半导体器件的方法。该沟槽围绕半导体衬底的有源区域。此外，该方法包括执行边缘端子沟槽的表面的阳极氧化以至少在边缘端子沟槽的壁处形成氧化层。

附图说明

将在下面仅通过示例的方式，并且参考附图来描述装置和/或方法的一些实施例，在附图中：

图1a示出用于形成半导体器件的方法的流程图；

图1b示出半导体器件的示意图；

图2a-2c示出制造可变深度场停止层的示意图；

图3a和3b示出具有可变深度掺杂层的半导体器件的示意图；

图4示出具有硅通孔的半导体器件的示意性横截面；

图5a和5b示出形成在半导体器件的背侧面具有场效应晶体管结构的半导体器件的示意图；

图6示出阳极氧化的示意图；

图7示出用于形成半导体器件的方法的流程图；

图8a和8b示出通过使用载体衬底形成半导体器件的示意图；

图9示出用于形成半导体器件的方法的流程图；以及

图10示出半导体器件的示意性横截面。

具体实施方式

现在将更完全地参考其中图示了一些示例实施例的附图来描述各个示例实施例。在图中，为了清楚的目的，可夸大线、层和/或区的厚度。

相应地，尽管示例实施例能够具有各种修改和替换形式，但在图中通过示例的方式示出其实施例，并且在本文将详细描述其实施例。然而，应当理解的是，不存在意图来将示例实施例限制到所公开的特别的形式，而是相反，示例实施例将覆盖落入本公开的范围内的所有修改、等同形式和替换形式。遍及图的描述，同样的数字指代同样或类似的元件。

将理解的是，当元件被称为“连接”或“耦合”到另一元件时，其可以直接连接或耦合到其它元件，或可存在中间的元件。相反，当元件被称为“直接连接”或“直接耦合”到另一元件时，不存在中间的元件。应当以同样的方式解释用于描述元件之间的关系的其它词语（例如“之间”对比“直接之间”，“邻近”对比“直接邻近”等）。