[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410748056.5 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105742168B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 张锡明;黄彦余 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，适配置于一基板上，薄膜晶体管包括一栅极、一栅绝缘层、一第一源极/漏极、一半导体层及一第二源极/漏极；栅极配置于基板上；栅绝缘层覆盖栅极以及基板；第一源极/漏极配置于栅绝缘层上；半导体层配置于栅极上方，半导体层从栅绝缘层延伸至第一源极/漏极上，半导体层包括位于第一源极/漏极的一第一部分以及与第一部分连接的一第二部分，其中第一部分的导电率大于第二部分的导电率；第二源极/漏极覆盖并且接触第二部分。本发明还提供薄膜晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，适于配置于一基板上，该薄膜晶体管包括：一栅极，配置于该基板上；一栅绝缘层，覆盖该栅极以及该基板；一第一源极/漏极，配置于该栅绝缘层上；一半导体层，配置于该栅极上方，该半导体层从该栅绝缘层延伸至该第一源极/漏极上，该半导体层包括位于该第一源极/漏极的一第一部分以及与该第一部分连接的一第二部分，其中该第一部分的导电率大于该第二部分的导电率；以及一第二源极/漏极，覆盖并且接触该第二部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华映管股份有限公司，未经中华映管股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410748056.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
