[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，适配置于一基板上，薄膜晶体管包括一栅极、一栅绝缘层、一第一源极/漏极、一半导体层及一第二源极/漏极；栅极配置于基板上；栅绝缘层覆盖栅极以及基板；第一源极/漏极配置于栅绝缘层上；半导体层配置于栅极上方，半导体层从栅绝缘层延伸至第一源极/漏极上，半导体层包括位于第一源极/漏极的一第一部分以及与第一部分连接的一第二部分，其中第一部分的导电率大于第二部分的导电率；第二源极/漏极覆盖并且接触第二部分。本发明还提供薄膜晶体管的制造方法。

技术领域

本发明是有关于一种薄膜晶体管及其制造方法，且特别是有关于一种其半导体层具有较佳移动率的薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

图1是现有的一种像素结构的示意图。请参阅图1，现有的像素结构1包括一薄膜晶体管10以及像素电极20。薄膜晶体管10配置于一基板2上且包括一栅极11、一栅绝缘层12、一源极13、一半导体层14、一介电层15、一漏极16以及一保护层17。栅极11配置于基板2上，且栅绝缘层12覆盖栅极11以及基板2。源极13配置于栅绝缘层12上。半导体层14配置于栅极11上方，且半导体层14从栅绝缘层12延伸至源极13上。介电层15覆盖源极13、栅绝缘层12以及半导体层14，且介电层15具有一第一接触窗15a。漏极16配置在介电层15上，且漏极16通过第一接触窗15a与半导体层14接触。保护层17覆盖介电层15以及漏极16，且保护层17具有一第二接触窗17a，而像素电极20通过第二接触窗17a与漏极16接触。

如图1所示，在现有的像素结构1的制造过程中，由于源极13是在形成半导体层14之前制作，而漏极16是在形成半导体层14之后制作，因此半导体层14不会接触到用以图案化源极13与漏极16的蚀刻液，而具有良好的薄膜品质。此外，在现有的像素结构1中，由于源极13与漏极16之间以半导体层14隔开，因此源极13与漏极16之间的距离可以缩短，进而提升薄膜晶体管10的元件特性(如开口率、显示解析度等)。

然而，在现有的像素结构1中，由于局部的半导体层14(如图1中的区域X)位于源极13的上方，当一开启电压(高电压)施加于栅极11时，理论上，栅极11会产生一电场以使半导体层14呈现导通的状态，但由于部分的电场会被源极13所屏蔽，因此分布于源极13上的半导体层14(区域X)会受到前述的屏蔽效应的影响而几乎无法呈现导通。基于上述原因，薄膜晶体管10中半导体层14的移动率(mobility)便会低下。

承上述，如何改善薄膜晶体管10中半导体层14的移动率低下的问题，实为目前亟待解决的问题之一。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。

本发明的一种薄膜晶体管，其半导体层具有较佳移动率。

本发明的一种薄膜晶体管的制造方法，其所制作出的薄膜晶体管的半导体层具有较佳移动率。

本发明的一种薄膜晶体管，适于配置于一基板上，薄膜晶体管包括一栅极、一栅绝缘层、一第一源极/漏极、一半导体层及一第二源极/漏极；栅极配置于基板上；栅绝缘层覆盖栅极以及该基板；第一源极/漏极配置于栅绝缘层上；半导体层配置于栅极上方，半导体层从栅绝缘层延伸至第一源极/漏极上，半导体层包括位于第一源极/漏极的一第一部分以及与第一部分连接的一第二部分，其中第一部分的导电率大于第二部分的导电率；第二源极/漏极覆盖并且接触第二部分。

本发明的一种薄膜晶体管的制造方法，包括：在一基板上形成一栅极；在基板上形成一栅绝缘层以覆盖栅极；在栅绝缘层上形成一第一源极/漏极；在栅绝缘层与第一源极/漏极上形成一半导体材料层，其中半导体材料层位于栅极上方；在半导体材料层上与栅绝缘层上形成一第二源极/漏极；以及增加位于第一源极/漏极上的半导体材料层的导电率，以形成一半导体层，其中半导体层包括位于第一源极/漏极上的一第一部分以及与第一部分连接的一第二部分，且第一部分的导电率大于第二部分的导电率。