[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，适于配置于一基板上，该薄膜晶体管包括：

一栅极，配置于该基板上；

一栅绝缘层，覆盖该栅极以及该基板；

一第一源极/漏极，配置于该栅绝缘层上；

一半导体层，配置于该栅极上方，该半导体层从该栅绝缘层延伸至该第一源极/漏极上，该半导体层包括位于该第一源极/漏极的一第一部分以及与该第一部分连接的一第二部分，其中该第一部分的导电率大于该第二部分的导电率；以及

一第二源极/漏极，覆盖并且接触该第二部分。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：

一介电层，覆盖该第一源极/漏极、该栅绝缘层以及该半导体层，其中该介电层具有一开口与一第一接触窗，该开口暴露出该第一部分，且该第一接触窗暴露出局部的该第二部分，该第二源极/漏极通过该介电层的该第一接触窗与该半导体层的该第二部分接触。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：

一保护层，覆盖该介电层以及该第二源极/漏极，其中该保护层通过该开口与该半导体层的该第一部分接触。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一部分的导电率为该第二部分的导电率的1x10⁴倍至2x10⁴倍。

5.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

在一基板上形成一栅极；

在该基板上形成一栅绝缘层以覆盖该栅极；

在该栅绝缘层上形成一第一源极/漏极；

在该栅绝缘层与该第一源极/漏极上形成一半导体材料层，其中该半导体材料层位于栅极上方；

在该半导体材料层上与该栅绝缘层上形成一第二源极/漏极；以及

氢化位于该第一源极/漏极上的该半导体材料层以形成一半导体层，增加该半导体层的导电率，其中该半导体层包括位于该第一源极/漏极上的一第一部分以及与该第一部分连接的一第二部分，且该第一部分的导电率大于该第二部分的导电率。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成该第一部分的步骤包括：

氢化位于该第一源极/漏极上的该半导体材料层，以形成该半导体层的该第一部分。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成该第一部分的步骤包括：

利用一氢气电浆氢化位于该第一源极/漏极上的该半导体材料层。

8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成该第一部分的步骤包括：

使用一含氢的气体源于该第一部分以及该第二源极/漏极上形成一保护层，以在形成该保护层的过程中，氢化位于该第一源极/漏极上的该半导体材料层。

9.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，还包括：

在该第一源极/漏极、该栅绝缘层以及该半导体层上形成一介电层，其中该介电层具有一开口与一第一接触窗，该开口暴露出该第一部分，且该第一接触窗暴露出局部的该第二部分；以及

在该介电层以及该第二源极/漏极上形成一保护层，其中该保护层通过该开口与该半导体层的该第一部分接触。

10.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第一部分的导电率为该第二部分的导电率的1x10⁴倍至2x10⁴倍。