[发明专利]具有位交叉功能的8管存储子阵列结构

摘要

本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种具有位交叉功能的8管存储子阵列结构。其单元结构包括一个由传统的单端8管存储单元组成的mx1子阵列、一对分别受全局列选位线WBL及其互补位线WBLB控制的PMOS电源共享管和一对分别受全局列选位线WBL及其互补位线WBLB控制的NMOS放电共享管。本发明还包括由n列的mx1子阵列组成的8管存阵列，当阵列中某一个存储单元进行写操作时，其所在列的其中一条列选位线跳变为高电平，则由这条列选位线控制的PMOS电源共享管关断，而控制的NMOS放电共享管打开，数据通过局部位线和放电共享管形成的对地通路将数据写入8管存储单元。本发明既支持位交叉功能，又能消除半选择破坏。

主权项

 一种支持位交叉功能的8管存储单元子阵列结构，其特征在于其单元结构包括：一个由传统的单端8管存储单元组成的mx1子阵列，一对PMOS电源共享管，和一对NMOS放电共享管；其中：mx1子阵列中所有8管存储单元的两个电源结点都分别与虚拟电源结点CVDD1及CVDD2相连，并且所有存储单元共享一对局部写位线LBL和LBLB，及一条读位线RBL，各个存储单元拥有自己独立的写字线WWL及读字线RWL；第一个PMOS电源共享管的栅极与全局列选位线WBLB相连，漏极与子阵列的虚拟电源结点CVDD1相接，而源极与全局电源VDD相连；第二个PMOS电源共享管的栅极与全局列选位线WBL相连，漏极与子阵列的虚拟电源结点CVDD2相接，而源极同样与全局电源VDD相连；第一个NMOS放电共享管的栅极与全局列选位线WBLB相连，漏极与局部写位线LBL相连，而源极与全局地相连；第二个NMOS放电共享管的栅极与全局列选位线WBL相连，漏极与局部写位线LBLB相连，而源极同样与全局地相连。