[发明专利]具有位交叉功能的8管存储子阵列结构

权利要求书

1. 一种支持位交叉功能的8管存储单元子阵列结构，其特征在于其单元结构包括：一个由传统的单端8管存储单元组成的mx1子阵列，一对PMOS电源共享管，和一对NMOS放电共享管；其中：

mx1子阵列中所有8管存储单元的两个电源结点都分别与虚拟电源结点CVDD1及CVDD2相连，并且所有存储单元共享一对局部写位线LBL和LBLB，及一条读位线RBL，各个存储单元拥有自己独立的写字线WWL及读字线RWL；

第一个PMOS电源共享管的栅极与全局列选位线WBLB相连，漏极与子阵列的虚拟电源结点CVDD1相接，而源极与全局电源VDD相连；第二个PMOS电源共享管的栅极与全局列选位线WBL相连，漏极与子阵列的虚拟电源结点CVDD2相接，而源极同样与全局电源VDD相连；第一个NMOS放电共享管的栅极与全局列选位线WBLB相连，漏极与局部写位线LBL相连，而源极与全局地相连；第二个NMOS放电共享管的栅极与全局列选位线WBL相连，漏极与局部写位线LBLB相连，而源极同样与全局地相连。

2.根据权利要求1所述的8管存储单元子阵列结构，其特征在于：存储子阵列静止状态时，全局列选位线WBL和WBLB都为“0”，第一个NMOS放电共享管（M1）和第二个NMOS放电共享管（M2）关断，第一个PMOS电源共享管（M3）和第二个PMOS电源共享管（M4）开启，子阵列进行数据保持。

3. 根据权利要求1所述的8管存储单元子阵列结构，其特征在于：当子阵列中的某个存储单元进行写“0”操作时，相应的写字线WWL开启，同时全局列选位线WBLB开启，WBL关闭，第一个PMOS电源共享管关断，第一个NMOS放电共享管打开，存储单元的第一个传输的NMOS管、局部写位线LBL及第一个NMOS放电共享管形成对地通路；由于存储单元电源供电被第一个PMOS电源共享管关断，所以第一个存储结点的数据被快速拉至“0”，对应的第二个存储结点被充电至“1”，再通过交叉耦合的反馈环保持数据。

4. 根据权利要求1所述的8管存储单元子阵列结构，其特征在于：当子阵列中的某个存储单元进行写“1”操作时，相应的写字线WWL开启，同时全局列选位线WBL开启，WBLB关闭，第二个PMOS电源共享管关断，第二个NMOS放电共享管打开，存储单元的第二个传输的NMOS管、局部写位线LBLB及第二个NMOS放电共享管形成对地通路；由于存储单元电源供电被第二个PMOS电源共享管关断，所以第二个存储结点的数据被快速拉至“0”，对应的第一个存储结点被充电至“1”，再通过交叉耦合的反馈环保持数据。

5. 一种由n列如权利要求1所述的8管存储单元子阵列结构构成的mxn的存储阵列，当阵列中某一个存储单元进行写操作时，其所在列的其中一条列选位线WBL或WBLB跳变为高电平，由这条列选位线控制的PMOS电源共享管关断，而控制的NMOS放电共享管打开，数据通过局部位线和放电共享管形成的对地通路将数据写入8管存储单元。