[发明专利]一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构

摘要

本发明提供一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，包括SOI衬底；所述SOI衬底的顶层硅中定义有有源区，所述有源区中形成有P阱及N阱；其中：所述有源区表面形成有假栅极型硅化物隔离结构，所述假栅极型硅化物隔离结构周围的有源区表面形成有金属硅化物层。本发明利用假栅极型硅化物隔离结构来实现有源区中不同类型重掺杂区以及阱区之间的金属硅化物阻隔，其中，该假栅极可与SOI衬底上其它区域的正常栅极结构同时制作，从而减少了一层硅化物阻挡层掩膜版，有利于节约生产成本；制作工艺与SOICMOS工艺完全兼容，具有很强的设计可行性；本发明的ESD保护器件结构可以单独使用，也可以结合其他外部电路或器件使用，达到更好的抗ESD保护效果。

主权项

一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，包括自下而上依次为背衬底、埋氧层及顶层硅的SOI衬底；所述顶层硅中定义有有源区，所述有源区中形成有P阱及N阱；其特征在于：所述有源区表面形成有假栅极型硅化物隔离结构，所述假栅极型硅化物隔离结构周围的有源区表面形成有金属硅化物层；所述假栅极型硅化物隔离结构包括第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七假栅极线，其中：所述第一、第二、第三假栅极线依次平行间隔排列；所述第二假栅极线覆盖所述P阱与N阱的交界线，所述第一假栅极线外侧自左向右分别形成有第一P型重掺杂区、第三N型重掺杂区及第二P型重掺杂区；所述第三假栅极线外侧自左向右分别形成有第一N型重掺杂区、第三P型重掺杂区及第二N型重掺杂区；所述第四、第五假栅极线分别垂直连接于所述第一假栅极线外侧，且所述第四假栅极线覆盖所述第一P型重掺杂区与第三N型重掺杂区的交界区域，所述第五假栅极线覆盖所述第三N型重掺杂区与第二P型重掺杂区的交界区域；所述第六、第七假栅极线分别垂直连接于所述第三假栅极线外侧，且所述第六假栅极线覆盖所述第一N型重掺杂区与第三P型重掺杂区的交界区域，所述第七假栅极线覆盖所述第三P型重掺杂区与第二N型重掺杂区的交界区域；所述第一P型重掺杂区与第二P型重掺杂区通过引线相连作为ESD保护器件的阳极；所述第一N型重掺杂区与第二N型重掺杂区通过引线相连作为ESD保护器件的阴极；所述第三N型重掺杂区上的金属硅化物层表面形成有N阱接触部；所述第三P型重掺杂区上的金属硅化物层表面形成有P阱接触部。