[发明专利]一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构

权利要求书

1.一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，包括自下而上依次为背衬底、埋氧层及顶层硅的SOI衬底；所述顶层硅中定义有有源区，所述有源区中形成有P阱及N阱；其特征在于：

所述有源区表面形成有假栅极型硅化物隔离结构，所述假栅极型硅化物隔离结构周围的有源区表面形成有金属硅化物层；

所述假栅极型硅化物隔离结构包括第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七假栅极线，其中：

所述第一、第二、第三假栅极线依次平行间隔排列；所述第二假栅极线覆盖所述P阱与N阱的交界线，所述第一假栅极线外侧自左向右分别形成有第一P型重掺杂区、第三N型重掺杂区及第二P型重掺杂区；所述第三假栅极线外侧自左向右分别形成有第一N型重掺杂区、第三P型重掺杂区及第二N型重掺杂区；

所述第四、第五假栅极线分别垂直连接于所述第一假栅极线外侧，且所述第四假栅极线覆盖所述第一P型重掺杂区与第三N型重掺杂区的交界区域，所述第五假栅极线覆盖所述第三N型重掺杂区与第二P型重掺杂区的交界区域；

所述第六、第七假栅极线分别垂直连接于所述第三假栅极线外侧，且所述第六假栅极线覆盖所述第一N型重掺杂区与第三P型重掺杂区的交界区域，所述第七假栅极线覆盖所述第三P型重掺杂区与第二N型重掺杂区的交界区域；

所述第一P型重掺杂区与第二P型重掺杂区通过引线相连作为ESD保护器件的阳极；所述第一N型重掺杂区与第二N型重掺杂区通过引线相连作为ESD保护器件的阴极；

所述第三N型重掺杂区上的金属硅化物层表面形成有N阱接触部；所述第三P型重掺杂区上的金属硅化物层表面形成有P阱接触部。

2.根据权利要求1所述的基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，其特征在于：所述顶层硅为P型掺杂层，所述顶层硅的部分区域直接作为所述P阱。

3.根据权利要求1所述的基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，其特征在于：所述第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七假栅极线均包括栅氧化层、形成于栅氧化层上的多晶硅层及形成于所述栅氧化层及多晶硅层两侧的侧墙。

4.根据权利要求1所述的基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，其特征在于：所述第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七假栅极线均电悬空。

5.根据权利要求1所述的基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，其特征在于：所述第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七假栅极线均接地。

6.根据权利要求1所述的基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，其特征在于：所述P阱接触部或N阱接触部作为外部电路或器件的触发点。

7.根据权利要求6所述的基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，其特征在于：所述外部电路或器件包括二极管、GGMOS或RC触发网络中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，其特征在于：所述P阱接触部与所述阳极相连，所述N阱接触部与所述阴极相连。

9.根据权利要求1所述的基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，其特征在于：位于所述第一、第二及第三假栅极线的间隔中的P阱表面及N阱表面也形成有金属硅化物层。

10.根据权利要求1所述的基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，其特征在于：所述金属硅化物为钼硅化物、镍硅化物或钛硅化物。