[发明专利]半导体器件和驱动半导体器件的方法有效
申请号: | 201410725597.6 | 申请日: | 2014-12-03 |
公开(公告)号: | CN104700898B | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 金渊郁 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;G11C17/18 |
代理公司: | 11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 俞波;许伟群<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种半导体器件包括:至少一个第一行选择线;与所述第一行选择线交叉的至少一个列选择线;以及第一熔丝电路,其包括第一熔丝阵列,且适于在加电模式下通过将外部电压用作源电压来输出在所述第一熔丝阵列中编程的第一熔丝信号,其中,所述第一熔丝阵列包括与所述第一行选择线和所述列选择线耦接的至少一个第一熔丝单元。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 驱动 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:/n至少一个第一行选择线;/n与所述第一行选择线交叉的至少一个列选择线;/n第一熔丝电路,其包括第一熔丝阵列,并且适于在加电模式下通过将外部电压用作源电压输出编程在所述第一熔丝阵列中的第一熔丝信号,其中,所述第一熔丝阵列包括与所述第一行选择线和所述列选择线耦接的至少一个第一熔丝单元;以及/n第二熔丝电路,其包括第二熔丝阵列,并且适于在启动模式下通过将内部电压用作源电压来输出编程在所述第二熔丝阵列中的第二熔丝信号,其中,所述第二熔丝阵列包括与至少一个第二行选择线和所述列选择线耦接的至少一个第二熔丝单元。/n
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