[发明专利]半导体器件和驱动半导体器件的方法有效
| 申请号: | 201410725597.6 | 申请日: | 2014-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN104700898B | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
| 发明(设计)人: | 金渊郁 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司: | 11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 俞波;许伟群<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体器件 驱动 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
至少一个第一行选择线;
与所述第一行选择线交叉的至少一个列选择线;
第一熔丝电路,其包括第一熔丝阵列,并且适于在加电模式下通过将外部电压用作源电压输出编程在所述第一熔丝阵列中的第一熔丝信号,其中,所述第一熔丝阵列包括与所述第一行选择线和所述列选择线耦接的至少一个第一熔丝单元;以及
第二熔丝电路,其包括第二熔丝阵列,并且适于在启动模式下通过将内部电压用作源电压来输出编程在所述第二熔丝阵列中的第二熔丝信号,其中,所述第二熔丝阵列包括与至少一个第二行选择线和所述列选择线耦接的至少一个第二熔丝单元。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,当形成了多个第一行选择线时,多个第一熔丝单元与所述列选择线耦接,以及在编程模式下,所述第一熔丝单元以所述列选择线为单位被编程在所述第一熔丝电路中。
3.如权利要求2所述的半导体器件,其中,在所述加电模式下,在所述第一熔丝电路中同时激活所述第一行选择线。
4.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:
内部电压发生电路,其适于响应于所述第一熔丝信号在进入所述启动模式之前产生用于所述启动模式的所述内部电压。
5.一种半导体器件,包括:
第一熔丝阵列,所述第一熔丝阵列与多个第一行选择线和多个列选择线耦接,并且适于在启动模式下响应于经由所述第一行选择线供应的第一选择电压来将多个第一熔丝信号输出至所述列选择线;
第一感测放大单元,其适于通过感测且放大所述第一熔丝信号来产生信息信号;
第一行驱动单元,其适于在所述启动模式下驱动利用对应于内部电压的所述第一选择电压来驱动所述第一行选择线;
第二熔丝阵列,所述第二熔丝阵列与多个第二行选择线和部分或全部的所述列选择线耦接,并且适于在所述启动模式之前的加电模式下,响应于经由所述第二行选择线供应的第二选择电压来将多个第二熔丝信号输出至部分的或全部的所述列选择线;
第二感测放大单元,其适于通过感测且放大所述第二熔丝信号来产生内部电压设置信号;以及
第二行驱动单元,其适于在所述加电模式下利用对应于外部电压的所述第二选择电压来驱动所述第二行选择线。
6.如权利要求5所述的半导体器件,还包括:
内部电压发生电路,其适于响应于所述内部电压设置信号来产生所述内部电压。
7.如权利要求5所述的半导体器件,其中,所述第一熔丝阵列包括多个第一熔丝单元,并且所述第一熔丝单元中的每个包括:
熔丝,其中,一端与对应的行熔丝线耦接,而另一端与对应的选择节点耦接;以及
切换单元,其中,一端与所述选择节点耦接,而另一端与对应的列选择线耦接,其中,所述切换单元响应于经由对应的行选择线供应的所述第一选择电压来执行切换操作。
8.如权利要求7所述的半导体器件,其中,所述第一行驱动单元在编程模式下经由多个第一行熔丝线供应第一编程电压,以及经由所述第一行选择线供应对应于所述第一编程电压的所述第一选择电压,以及在所述启动模式下经由所述第一行熔丝线供应第一读出电压,以及经由所述第一行选择线供应对应于所述第一读出电压的所述第一选择电压。
9.如权利要求5所述的半导体器件,其中,所述第一感测放大单元包括:
比较单元,其适于在所述启动模式下顺序比较经由所述列选择线供应的所述第一熔丝信号;
寄存器单元,其适于将从所述比较单元顺序输出的比较信号储存为所述信息信号;以及
列选择单元,其适于在所述启动模式下选择性地将所述列选择线与所述比较单元耦接,以及在所述加电模式下将部分的或全部的所述列选择线与所述比较单元电阻断。
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