[发明专利]一种改善PMOS器件性能的离子注入方法

摘要

本发明涉及集成电路加工工艺，尤其涉及一种改善PMOS器件性能的离子注入方法，通过在侧墙层刻蚀前，在将形成PMOS的第一晶体管区域增加一步紫外线处理工艺，使将形成PMOS的第一晶体管区域比将形成NMOS的第二晶体管区域有更低的刻蚀速率，进而在侧墙层刻蚀后，使将形成PMOS的第一晶体管区域的侧墙层比将形成NMOS的第二晶体管的侧墙层有更高的厚度。

主权项

一种改善PMOS器件性能的离子注入方法，其特征在于，所述方法包括：提供一硅基板，所述硅基板包含第一晶体管区域和第二晶体管区域，所述第一晶体管区域形成有第一栅极，所述第二晶体管区域形成有第二栅极；沉积一侧墙层覆盖所述第一晶体管区域上表面、第二晶体管区域上表面、第一栅极顶部和侧壁和第二栅极顶部和侧壁；沉积一保护层覆盖所述侧墙层，旋涂第一光刻胶层覆盖所述保护层；进行第一刻蚀，去除位于第一晶体管区域上表面的第一光刻胶层和保护层以及第二晶体管区域上表面的第一光刻胶层；对第一晶体管区域进行紫外线处理；去除第二晶体管区域上的保护层；进行第二刻蚀，去除第一栅极顶部的侧墙层和第二栅极顶部的侧墙层以及第一晶体管区域上表面的侧墙层；对第一晶体管区域进行第一离子注入工艺，形成第一晶体管；对第二晶体管区域进行第二离子注入工艺，形成第二晶体管；刻蚀去除第一栅极侧壁的侧墙层和第二栅极侧壁的侧墙层。