[发明专利]一种改善PMOS器件性能的离子注入方法

权利要求书

1.一种改善PMOS器件性能的离子注入方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一硅基板，所述硅基板包含第一晶体管区域和第二晶体管区域，所述第一晶体管区域形成有第一栅极，所述第二晶体管区域形成有第二栅极；

沉积一侧墙层覆盖所述第一晶体管区域上表面、第二晶体管区域上表面、第一栅极顶部和侧壁和第二栅极顶部和侧壁；

沉积一保护层覆盖所述侧墙层，旋涂第一光刻胶层覆盖所述保护层；

进行第一刻蚀，去除位于第一晶体管区域上表面的第一光刻胶层和保护层以及第二晶体管区域上表面的第一光刻胶层；

对第一晶体管区域进行紫外线处理；

去除第二晶体管区域上的保护层；

进行第二刻蚀，去除第一栅极顶部的侧墙层和第二栅极顶部的侧墙层以及第一晶体管区域上表面的侧墙层；

对第一晶体管区域进行第一离子注入工艺，形成第一晶体管；

对第二晶体管区域进行第二离子注入工艺，形成第二晶体管；

刻蚀去除第一栅极侧壁的侧墙层和第二栅极侧壁的侧墙层。

2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺前进行的步骤还包括：

于硅基板上旋涂第二光刻胶层，覆盖于第一晶体管区域的上表面、第二晶体管区域的上表面、第一栅极的顶部和侧壁以及第二栅极的顶部和侧壁；

进行第三刻蚀工艺，去除第一晶体管区域上表面的第二光刻胶层。

3.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述第二离子注入工艺前进行的步骤还包括：

旋涂第三光刻胶层，覆盖第一晶体管区域上表面、第二晶体管区域上表面、第一栅极顶部和侧壁以及第二栅极顶部和侧壁；

进行第四刻蚀工艺，去除覆盖于第二晶体管区域顶部的第三光刻胶层。

4.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述侧墙层材质为氮化硅，采用等离子化学气相沉积的方法形成所述侧墙层。

5.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述紫外线处理采用的是紫外灯照射，所述紫外灯其发射紫外线的波长为100-400纳米，照射时间为100s-1000s。

6.如权利要求5所述方法，其特征在于，采用所述紫外灯照射时放置硅基板的温度为300-480度。

7.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述第二刻蚀为干法刻蚀。

8.如权利要求7所述方法，其特征在于，经过所述干法刻蚀第一晶体管区域侧墙层厚度与第二晶体管区域侧墙层厚度比为1.5-2.5。

9.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述第一晶体管为PMOS管，所述第二晶体管为NMOS管。

10.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺注入的是B离子，所述第二离子注入工艺注入的是P离子。

11.如权利要求1所述方法，其特征在于，形成所述第一晶体管后进行的步骤包括：

剥离残留的第一光刻胶层。

12.如权利要求1所述方法，其特征在于，形成所述第二晶体管后进行的步骤包括：

剥离残留的第二光刻胶层。

13.如权利要求1所述方法，其特征在于，刻蚀去除第一栅极侧壁的侧墙层和第二栅极侧壁的侧墙层的步骤还包括：

旋涂一第五光刻胶层覆盖于第一晶体管区域上表面、第二晶体管区域上表面、第一栅极顶部和侧壁以及第二栅极顶部和侧壁。

14.如权利要求13所述方法，其特征在于，刻蚀去除第一栅极侧壁的侧墙层和第二栅极侧壁的侧墙层之后进行的步骤还包括：

剥离残留的第五光刻胶层。