[发明专利]紫外发光二极管和其制备方法有效
| 申请号： | 201410705184.1 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104681679B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 朴起延;许政勋;金华睦;韩昌锡;崔孝植 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;邱玲 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种紫外发光二极管和制备其的方法。发光二极管包括介于n型氮化物基半导体层和p型氮化物基半导体层之间的有源区，其中所述有源区包括多个包含Al的阻挡层，多个包含Al的阱层且其与阻挡层交替排列，和至少一个调节层。每个调节层位于阱层和阻挡层之间并邻近阱层，且其由二元氮化物半导体制成。调节层的设计可以减少有源区的应力，因此使得阱层和/或阻挡层的组成得到均一的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种紫外发光二极管，包括：介于n型氮化物基半导体层和p型氮化物基半导体层之间的有源区，所述有源区包括：多个包含Al的阻挡层；多个包含Al的阱层，且其与阻挡层交替排列；和至少一个调节层，每个调节层位于阱层和阻挡层之间，邻近阱层，且其由二元氮化物半导体制成，其中，所述至少一个调节层包括邻接阱层的阱‑调节层，位于阱层的朝向n型氮化物基半导体层的一侧，其中，邻接阱‑调节层的阻挡层为梯度‑组成的层，具有向着阱‑调节层增加的Al含量，其中，所述紫外发光二极管还包括衬底，n型氮化物基半导体层和p型氮化物基半导体层以及有源区设置在衬底上。
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