[发明专利]紫外发光二极管和其制备方法

权利要求书

1.一种紫外发光二极管，包括：

介于n型氮化物基半导体层和p型氮化物基半导体层之间的有源区，

所述有源区包括：

多个包含Al的阻挡层；

多个包含Al的阱层，且其与阻挡层交替排列；和

至少一个调节层，每个调节层位于阱层和阻挡层之间，邻近阱层，且其由二元氮化物半导体制成，

其中，所述至少一个调节层包括邻接阱层的阱-调节层，位于阱层的朝向n型氮化物基半导体层的一侧，

其中，邻接阱-调节层的阻挡层为梯度-组成的层，具有向着阱-调节层增加的Al含量，

其中，所述紫外发光二极管还包括衬底，n型氮化物基半导体层和p型氮化物基半导体层以及有源区设置在衬底上。

2.根据权利要求1的紫外发光二极管，其中所述二元氮化物半导体包括AlN。

3.根据权利要求1的紫外发光二极管，其中所述至少一个调节层包括邻接阻挡层的阻挡-调节层，位于阻挡层的朝向n型氮化物基半导体层的一侧。

4.根据权利要求1的紫外发光二极管，其中所述多个阻挡层和所述多个阱层由AlInGaN或AlGaN制成。

5.一种紫外发光二极管包括：

介于n型氮化物基半导体层和p型氮化物基半导体层之间的有源区，

所述有源区包括：

多个包含Al的阻挡层；和

多个包含Al的阱层，且其与阻挡层交替排列，

至少一个阻挡层包括梯度-组成的层，形成于阱层之间，且具有向着p型氮化物基半导体层增加的Al含量，

其中位于p型氮化物基半导体层一侧的梯度-组成的层的远端由AlN制成，

其中，所述紫外发光二极管还包括衬底，n型氮化物基半导体层和p型氮化物基半导体层以及有源区设置在衬底上。

6.根据权利要求5的紫外发光二极管，进一步包括：

二元氮化物半导体的调节层，位于有源区和n型氮化物基半导体层之间，且邻接所述有源区。

7.根据权利要求6的紫外发光二极管，其中邻接所述有源区的调节层由AlN制成。

8.根据权利要求5的紫外发光二极管，其中所述多个阻挡层和所述多个阱层由AlInGaN或AlGaN制成。