[发明专利]基于电催化性能提高Cr-Si高阻膜电阻器耐湿热性能的方法有效

专利信息
申请号: 201410699102.7 申请日: 2014-11-27
公开(公告)号: CN104485190A 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 王秀宇;李晨光;马金鑫;马小品;张浩;程强;张平 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01C17/00 分类号: H01C17/00;C23C14/06;C23C14/35
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 张宏祥
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种基于电催化性能提高Cr-Si高阻膜电阻器耐湿热性能的方法,首先以Cr粉、Si粉、Ni粉、Mo粉和W粉为原料,通过粉末冶金法制备Cr-Si基靶材,在中频真空冶炼炉中分别炼制Cr-Si-Ni靶材、Cr-Si-Ni-Mo靶材和Cr-Si-Ni-W靶材;再将靶材于磁控溅射镀膜机上制备电阻器高阻膜,并将高阻膜调至阻值为249kΩ,±0.5%;再以纳米二氧化硅增强型酚醛-环氧树脂复合涂料进行封装。本发明在高温、高湿条件下的电阻变化率为0.03%~0.16%。
搜索关键词: 基于 电催化 性能 提高 cr si 高阻膜 电阻器 湿热 方法
【主权项】:
一种基于电催化性能提高Cr‑Si高阻膜电阻器耐湿热性能的方法,采用对水具有电催化性能的金属镍Ni及其合金镍钼Ni‑Mo和镍钨Ni‑W对Cr‑Si高阻膜进行改进,步骤如下:(1)以Cr粉、Si粉、Ni粉、Mo粉和W粉为原料,通过粉末冶金法制备Cr‑Si基靶材,在中频真空冶炼炉上分别炼制溅射阻值膜用的Cr‑Si‑Ni靶材、Cr‑Si‑Ni‑Mo靶材和Cr‑Si‑Ni‑W靶材;上述靶材的构成元素及其重量百分比含量分别为:Cr‑Si‑Ni靶材:Cr 40%,Si55%,Ni5%;Cr‑Si‑Ni‑Mo靶材:Cr 40%,Si55%,Ni3%,Mo2%;Cr‑Si‑Ni‑W靶材:Cr 40%,Si55%,Ni3%,W2%;(2)将步骤(1)制备的靶材于磁控溅射镀膜机上制备Cr‑Si‑Ni、Cr‑Si‑Ni‑Mo和Cr‑Si‑Ni‑W电阻器高阻膜,本底真空为3×10‑3Pa,溅射电压为600V,溅射电流为150mA,Ar流量为20sccm,溅射时间2h,然后在500℃下N2中退火2h;并将制备的Cr‑Si基电阻器高阻膜调至阻值为249kΩ,±0.5%;(3)对制备的Cr‑Si基高阻膜电阻器,采用纳米二氧化硅增强型酚醛‑环氧树脂复合涂料进行封装;该复合涂料的nano‑SiO2、EP和PF质量比为3:43:100;(4)按国军标GJB1929‑94标准对封装后的Cr‑Si基高阻膜电阻器进行240h湿热实验。
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