[发明专利]基于电催化性能提高Cr-Si高阻膜电阻器耐湿热性能的方法有效
| 申请号： | 201410699102.7 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104485190A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 王秀宇;李晨光;马金鑫;马小品;张浩;程强;张平 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01C17/00 | 分类号： | H01C17/00;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 电催化 性能 提高 cr si 高阻膜 电阻器 湿热 方法 | ||
1.一种基于电催化性能提高Cr-Si高阻膜电阻器耐湿热性能的方法，采用对水具有电催化性能的金属镍Ni及其合金镍钼Ni-Mo和镍钨Ni-W对Cr-Si高阻膜进行改进，步骤如下：
(1)以Cr粉、Si粉、Ni粉、Mo粉和W粉为原料，通过粉末冶金法制备Cr-Si基靶材，在中频真空冶炼炉上分别炼制溅射阻值膜用的Cr-Si-Ni靶材、Cr-Si-Ni-Mo靶材和Cr-Si-Ni-W靶材；
上述靶材的构成元素及其重量百分比含量分别为：
Cr-Si-Ni靶材：Cr 40％，Si55％，Ni5％；
Cr-Si-Ni-Mo靶材：Cr 40％，Si55％，Ni3％，Mo2％；
Cr-Si-Ni-W靶材：Cr 40％，Si55％，Ni3％，W2％；
(2)将步骤(1)制备的靶材于磁控溅射镀膜机上制备Cr-Si-Ni、Cr-Si-Ni-Mo和Cr-Si-Ni-W电阻器高阻膜，本底真空为3×10-3Pa，溅射电压为600V，溅射电流为150mA，Ar流量为20sccm，溅射时间2h，然后在500℃下N2中退火2h；并将制备的Cr-Si基电阻器高阻膜调至阻值为249kΩ，±0.5％；
(3)对制备的Cr-Si基高阻膜电阻器，采用纳米二氧化硅增强型酚醛-环氧树脂复合涂料进行封装；该复合涂料的nano-SiO2、EP和PF质量比为3:43:100；
(4)按国军标GJB1929-94标准对封装后的Cr-Si基高阻膜电阻器进行240h湿热实验。
2.根据权利要求1所述的基于电催化性能提高Cr-Si高阻膜电阻器耐湿热性能的方法，其特征在于，所述步骤(2)的磁控溅射镀膜机为美国TRC2020磁控溅射镀膜机。
3.根据权利要求1所述的基于电催化性能提高Cr-Si高阻膜电阻器耐湿热性能的方法，其特征在于，所述对水具有电催化性能的金属及其合金也可以是贵金属铂Pt和钯Pd及其与金属Ni、W、Mo的合金。
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