[发明专利]一种TFT基板及其制造方法有效
申请号: | 201410698801.X | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN104360529A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 连水池;熊源 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1368;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种TFT基板及其制造方法。该方法包括以下步骤:提供一基板;在基板上形成栅电极;在栅电极上依次形成第一绝缘层以及有源层;在有源层上形成第一黑色矩阵;在第一黑色矩阵上形成源电极和漏电极;在源电极和漏电极上形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成像素电极,像素电极经第二绝缘层与源电极和漏电极中的一者电连接。通过上述方式,本发明能够保证该TFT基板组成的显示面板的遮光效果,并且降低数据线和扫描线之间的耦合电容。 | ||
搜索关键词: | 一种 tft 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种TFT基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:提供一基板;在所述基板上形成栅电极;在所述栅电极上依次形成第一绝缘层以及有源层;在所述有源层上形成第一黑色矩阵;在所述第一黑色矩阵上形成源电极和漏电极;在所述源电极和漏电极上形成第二绝缘层;在所述第二绝缘层上形成像素电极,所述像素电极经所述第二绝缘层与所述源电极和漏电极中的一者电连接。
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