[发明专利]一种TFT基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410698801.X 申请日: 2014-11-26
公开(公告)号: CN104360529A 公开(公告)日: 2015-02-18
发明(设计)人: 连水池;熊源 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1368;G02F1/1333
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 518000 广东省深圳市光明新区公*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 tft 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其是涉及一种TFT基板及其制造方法。

背景技术

曲面电视由于具有更出色的对比度、更广泛的视角以及沉浸式体验,为用户提供更具深度的观赏感受,因此其越来越受到人们的热爱。

在曲面电视应用中,由于面板会有一定程度的弯曲,使得组成面板的TFT(薄膜晶体管,Thin Film Transistor)基板和CF(彩色滤光片,color filter)基板之间会产生相对错位,导致设置在CF基板上的黑色矩阵(Black Matrix,BM)的光遮效果受到影响。具体请参阅图1和图2所示,其中,图1是面板100没有弯曲时,黑色矩阵101的遮光情况,图2为面板100弯曲后,黑色矩阵101的遮光情况,由图1和图2可知,在面板100弯曲后,有部分光从黑色矩阵101旁边射出,产生漏光现象,影响黑色矩阵101的光遮效果,从而会降低面板的对比度。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种TFT基板及其制造方法,能够保证遮光效果,并且降低数据线和扫描线之间的耦合电容。

为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种TFT基板的制造方法,该方法包括以下步骤:提供一基板;在基板上形成栅电极;在栅电极上依次形成第一绝缘层以及有源层;在有源层上形成第一黑色矩阵;在第一黑色矩阵上形成源电极和漏电极;在源电极和漏电极上形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成像素电极,像素电极经第二绝缘层与源电极和漏电极中的一者电连接。

其中,在基板上形成栅电极的步骤还包括:在基板上形成与栅电极同层设置的扫描线,其中第一绝缘层进一步覆盖于扫描线上,有源层未覆盖于扫描线上;在有源层上形成第一黑色矩阵的步骤还包括:在扫描线上形成与第一黑色矩阵同层设置的第二黑色矩阵;在第一黑色矩阵上形成源电极和漏电极的步骤进一步包括:在第二黑色矩阵上进一步形成与源电极和漏电极同层设置的电容电极,其中第二绝缘层进一步覆盖于电容电极上,像素电极经第二绝缘层与电容电极电连接。

其中,在有源层上形成第一黑色矩阵的步骤还包括:

分别在第一黑色矩阵和第二黑色矩阵上形成接触孔,以使源电极和漏电极经第一黑色矩阵上的接触孔接触有源层,电容电极经第二黑色矩阵上的接触孔接触第一绝缘层。

其中,方法进一步包括:在像素电极与第二绝缘层之间形成色阻层;在色阻层与像素电极之间进一步形成绝缘保护层。

其中,在像素电极与第二绝缘层之间形成色阻层的步骤进一步包括:分别在色阻层的对应于源电极和漏电极中的一者的位置以及对应于电容电极的位置形成第一接触孔和第二接触孔,其中,第一接触孔使得第二绝缘层外露,第二接触孔穿过第二绝缘层,使得电容电极外露;在色阻层与像素电极之间进一步形成绝缘保护层的步骤进一步包括:在第一接触孔和第二接触孔内形成绝缘保护层;在第一接触孔内的绝缘保护层和第二绝缘层形成第三接触孔,在第二接触孔内绝缘保护层设置在第二绝缘层上,其中像素电极通过第三接触孔与源电极和漏电极中的一者电连接,并通过和第二接触孔与电容电极电连接。

为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种TFT基板,该TFT基板包括:基板;栅电极,设置在基板上;第一绝缘层以及有源层,依次设置在栅电极上;第一黑色矩阵,设置在有源层上;源电极和漏电极,设置在第一黑色矩阵上;第二绝缘层,设置在源电极和漏电极上;像素电极,设置在第二绝缘层上,像素电极经第二绝缘层与源电极和漏电极中的一者电连接。

其中,TFT基板还包括:扫描线,设置在基板上并与栅电极同层设置,其中第一绝缘层进一步覆盖于扫描线上,有源层未覆盖于扫描线上;第二黑色矩阵,设置在扫描线上并与第一黑色矩阵同层设置;电容电极,设置在第二黑色矩阵上并与源电极和漏电极同层设置,其中第二绝缘层进一步覆盖于电容电极上,像素电极经第二绝缘层与电容电极电连接。

其中,在第一黑色矩阵和第二黑色矩阵上分别形成有接触孔,以使源电极和漏电极经第一黑色矩阵上的接触孔接触有源层,电容电极经第二黑色矩阵上的接触孔接触第一绝缘层。

其中,TFT基板进一步包括:色阻层,设置在像素电极与第二绝缘层之间;绝缘保护层,设置在色阻层与像素电极之间。

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