[发明专利]一种TFT基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上形成栅电极；

在所述栅电极上依次形成第一绝缘层以及有源层；

在所述有源层上形成第一黑色矩阵；

在所述第一黑色矩阵上形成源电极和漏电极；

在所述源电极和漏电极上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成像素电极，所述像素电极经所述第二绝缘层与所述源电极和漏电极中的一者电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基板上形成栅电极的步骤还包括：

在所述基板上形成与所述栅电极同层设置的扫描线，其中所述第一绝缘层进一步覆盖于所述扫描线上，所述有源层未覆盖于所述扫描线上；

在所述有源层上形成第一黑色矩阵的步骤还包括：

在所述扫描线上形成与所述第一黑色矩阵同层设置的第二黑色矩阵；

在所述第一黑色矩阵上形成源电极和漏电极的步骤进一步包括：

在所述第二黑色矩阵上进一步形成与所述源电极和漏电极同层设置的电容电极，其中所述第二绝缘层进一步覆盖于所述电容电极上，所述像素电极经所述第二绝缘层与所述电容电极电连接。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述有源层上形成第一黑色矩阵的步骤还包括：

分别在所述第一黑色矩阵和所述第二黑色矩阵上形成接触孔，以使所述源电极和漏电极经所述第一黑色矩阵上的接触孔接触所述有源层，所述电容电极经所述第二黑色矩阵上的接触孔接触所述第一绝缘层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：

在所述像素电极与所述第二绝缘层之间形成色阻层；

在所述色阻层与所述像素电极之间进一步形成绝缘保护层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述像素电极与所述第二绝缘层之间形成色阻层的步骤进一步包括：

分别在所述色阻层的对应于所述源电极和漏电极中的所述一者的位置以及对应于所述电容电极的位置形成第一接触孔和第二接触孔，其中，所述第一接触孔使得所述第二绝缘层外露，所述第二接触孔穿过所述第二绝缘层，使得所述电容电极外露；

所述在所述色阻层与所述像素电极之间进一步形成绝缘保护层的步骤进一步包括：

在所述第一接触孔和所述第二接触孔内形成所述绝缘保护层；

在所述第一接触孔内的所述绝缘保护层和所述第二绝缘层形成第三接触孔，在所述第二接触孔内的绝缘保护层设置在所述第二绝缘层上，其中所述像素电极通过所述第三接触孔与所述源电极和漏电极中的所述一者电连接，并通过和所述第二接触孔与所述电容电极电连接。

6.一种TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括：

基板；

栅电极，设置在所述基板上；

第一绝缘层以及有源层，依次设置在所述栅电极上；

第一黑色矩阵，设置在所述有源层上；

源电极和漏电极，设置在所述第一黑色矩阵上；

第二绝缘层，设置在所述源电极和漏电极上；

像素电极，设置在所述第二绝缘层上，所述像素电极经所述第二绝缘层与所述源电极和漏电极中的一者电连接。

7.根据权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板还包括：

扫描线，设置在所述基板上并与所述栅电极同层设置，其中所述第一绝缘层进一步覆盖于所述扫描线上，所述有源层未覆盖于所述扫描线上；

第二黑色矩阵，设置在所述扫描线上并与所述第一黑色矩阵同层设置；

电容电极，设置在所述第二黑色矩阵上并与所述源电极和漏电极同层设置，其中所述第二绝缘层进一步覆盖于所述电容电极上，所述像素电极经所述第二绝缘层与所述电容电极电连接。

8.根据权利要求7所述的TFT基板，其特征在于，在所述第一黑色矩阵和所述第二黑色矩阵上分别形成有接触孔，以使所述源电极和漏电极经所述第一黑色矩阵上的接触孔接触所述有源层，所述电容电极经所述第二黑色矩阵上的接触孔接触所述第一绝缘层。

9.根据权利要求7所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板进一步包括：

色阻层，设置在所述像素电极与所述第二绝缘层之间；

绝缘保护层，设置在色阻层与所述像素电极之间。

10.根据权利要求9所述的TFT基板，其特征在于，分别在所述色阻层的对应于所述源电极和漏电极中的所述一者的位置以及对应于所述电容电极的位置形成第一接触孔和第二接触孔，其中，所述第一接触孔使得所述第二绝缘层外露，所述第二接触孔穿过所述第二绝缘层，使得所述电容电极外露；

所述绝缘保护层进一步设置在所述第一接触孔和所述第二接触孔内；

在所述第一接触孔内的所述绝缘保护层和所述第二绝缘层形成第三接触孔，在所述第二接触孔内的绝缘保护层设置在所述第二绝缘层上，其中所述像素电极通过所述第三接触孔与所述源电极和漏电极中的所述一者电连接，并通过和所述第二接触孔与所述电容电极电连接。