[发明专利]成像器件在审

专利信息
申请号: 201410691502.3 申请日: 2014-11-25
公开(公告)号: CN104660928A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 铃木淳史;相原康敏 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378;H01L27/146
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李兰;孙志湧
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及成像器件。通过在存储电容元件中存储从浮置扩散溢出的电荷并抑制如果通过MOS电容器形成存储电容元件而发生的像素面积的增大,提供一种能确保CMOS成像传感器的动态范围的成像器件。成像器件包括在行方向和列方向上布置的多个像素电路,以及在行方向上布置并在列方向上延伸的多个存储电容线。各个存储电容线耦合至在相同列中布置的像素电路。像素电路包括存储通过经受光而产生的电荷的第一光电转换元件,第一光电转换元件中存储的电荷被传输到的浮置扩散,以及耦合浮置扩散和存储电容线的第一开关晶体管。
搜索关键词: 成像 器件
【主权项】:
一种成像器件,包括:在行方向和列方向上布置的多个像素电路;以及在行方向上布置并且在列方向上延伸的多个存储电容线,其中,所述存储电容线耦合至在相同列中布置的所述像素电路,并且其中,所述像素电路包括:第一光电转换元件,所述第一光电转换元件可操作用于存储由于经受光而产生的电荷;浮置扩散,存储在所述第一光电转换元件中的电荷被传输到所述浮置扩散;以及第一开关晶体管,所述第一开关晶体管可操作用于耦合所述浮置扩散和所述存储电容线。
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