[发明专利]成像器件在审

专利信息
申请号: 201410691502.3 申请日: 2014-11-25
公开(公告)号: CN104660928A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 铃木淳史;相原康敏 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378;H01L27/146
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李兰;孙志湧
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 成像 器件
【权利要求书】:

1.一种成像器件,包括:

在行方向和列方向上布置的多个像素电路;以及

在行方向上布置并且在列方向上延伸的多个存储电容线,

其中,所述存储电容线耦合至在相同列中布置的所述像素电路,并且

其中,所述像素电路包括:

第一光电转换元件,所述第一光电转换元件可操作用于存储由于经受光而产生的电荷;

浮置扩散,存储在所述第一光电转换元件中的电荷被传输到所述浮置扩散;以及

第一开关晶体管,所述第一开关晶体管可操作用于耦合所述浮置扩散和所述存储电容线。

2.根据权利要求1所述的成像器件,进一步包括:

在行方向上布置并且在列方向上延伸的多个垂直信号线,

其中,所述垂直信号线耦合至在相同列中布置的所述像素电路,并且

其中,所述像素电路进一步包括:

放大晶体管,所述放大晶体管可操作用于放大并且输出所述浮置扩散的电压;以及

选择晶体管,所述选择晶体管可操作用于将所述放大晶体管耦合至所述垂直信号线。

3.根据权利要求2所述的成像器件,

其中,在下述选择的行中,所述第一开关晶体管被设定为导通态,其中在所述选择的行布置有具有被设定为导通态的所述选择晶体管的所述像素电路,并且

其中,在下述非选择的行中,所述第一开关晶体管被设定为非导通态,其中在所述非选择的行布置有具有被设定为非导通态的所述选择晶体管的所述像素电路。

4.根据权利要求3所述的成像器件,

其中,所述像素电路进一步包括:

第一复位晶体管,所述第一复位晶体管具有耦合至电源线的源极和耦合至所述浮置扩散的漏极,并且

其中,所述第一复位晶体管执行复位以放电存储在所述浮置扩散和所述存储电容线中的至少一个中的电荷。

5.根据权利要求3所述的成像器件,

其中,所述像素电路进一步包括:

第二复位晶体管,所述第二复位晶体管具有耦合至所述电源线的源极和耦合至所述存储电容线的漏极,并且

其中,所述第二复位晶体管放电存储在所述浮置扩散和所述存储电容线中的至少一个中的电荷。

6.根据权利要求3所述的成像器件,

其中,所述像素电路进一步包括:

第二光电转换元件,所述第二光电转换元件可操作用于存储由于经受光而产生的电荷;

第一传输晶体管,所述第一传输晶体管可操作用于将存储在所述第一光电转换元件中的电荷传输至所述浮置扩散;以及

第二传输晶体管,所述第二传输晶体管可操作用于将存储在所述第二光电转换元件中的电荷传输至所述浮置扩散。

7.根据权利要求3所述的成像器件,

其中,所述存储电容线由在列方向上布置的多个单元存储电容线构造,

其中,所述像素电路进一步包括:

第二开关晶体管,

其中,所述第一开关晶体管将所述浮置扩散耦合至所述单元存储电容线,并且

其中,所述第二开关晶体管串联耦合所述单元存储电容线。

8.根据权利要求7所述的成像器件,

其中,在所述选择的行布置的所述像素电路中以及在邻近所述选择的行的非选择的行布置的所述像素电路中,所述第二开关晶体管被设定为导通态。

9.根据权利要求7所述的成像器件,进一步包括:

第三复位晶体管,

其中,所述第三复位晶体管耦合至布置在列方向的端部的所述单元存储电容线,并且执行复位以放电在列方向上布置的所述单元存储电容线中存储的电荷。

10.根据权利要求4所述的成像器件,

其中,所述放大晶体管通过放大已经和所述存储电容线一起被执行了复位的所述浮置扩散的电压,来将高照度复位噪声输出至所述垂直信号线;通过放大在复位之后与所述存储电容线分离的所述浮置扩散的电压,来将低照度复位噪声输出至所述垂直信号线;随后,通过放大存储在所述第一光电转换元件中的电荷被传输到的所述浮置扩散的电压,来将低照度混合信号输出至所述垂直信号线;并且随后,通过放大耦合至所述存储电容线的所述浮置扩散的电压,来将高照度混合信号输出至所述垂直信号线。

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